1) inclined AlN film
倾斜AlN薄膜
1.
C-axis inclined AlN films were prepared by changing the sputtering pressure and the mechanism of the c-axis inclined AlN films was discussed.
提出通过改变溅射气压获得倾斜于C轴的AlN薄膜的制备方法,探讨了倾斜AlN薄膜的生长机理。
2) AlN thin film
AlN薄膜
1.
Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films;
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
2.
Physical properties and deposition technique of AlN thin films are described.
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
3.
AlN thin films are promising to be used as insulator for high-temperture and high-power devices in microelectronics fields.
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。
3) AlN thin films
AlN薄膜
1.
Effect of deposition parameters and RTA conditions on electrical properties of AlN thin films;
沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响
2.
AlN thin films with dominant crystalline structure were prepared on Si(111) substrate at low temperature (200℃) with a KrF excimer pulsed laser by varying the deposition conditions.
用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。
4) TiN/AIN thin film
TiN/AlN薄膜
5) AlN film
AlN薄膜
1.
Fabrication of a novel SOI-structure with AlN film as buried insulator;
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
2.
AlN film was deposited on the surface of 1Cr18Ni9 stainless steel by PCVD technique using AlCl_3 as the source of Al.
采用等离子体化学气相沉积 (PCVD)技术 ,以AlCl3作铝源在 1Cr18Ni9不锈钢表面沉积AlN薄膜 ,探讨了不同沉积时间和温度对薄膜硬度的影响 ,并对AlN薄膜的耐蚀性进行了研究。
6) AlN films
AlN薄膜
1.
Influence of sputtering power on depositing AlN films by RF-reactive magnetron sputtering method;
射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响
2.
AlN films have been prepared by direct current-reactive magnetron sputtering method.
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜。
3.
The transmittance of AlN films with different N2 concentration is also discussed.
采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条