1) Dislocation density
位错密度
1.
Investigation on dislocation density of SiGe alloy grown by MBE;
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2.
Determination of the kinetics for dynamic recrystallization based on dislocation density variation
基于位错密度变化的动态再结晶动力学确定方法
3.
The basic theories and the applications of both the critical resolved shear stress model and visco-plastic model are presented for predicting the dislocation density during crystal growth process.
与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响。
2) density of dislocation
错位密度
3) threading dislocations(TDs) density
线位错密度
4) high dislocation density
高位错密度
1.
The microstructure of G99 is sub structure with refined lath martensite and high dislocation density,uniform and carbonide particles strengthing matrix distribute on it,establishes good foundation for getting high strength and toughness for this stell.
G99钢的显微组织是具有细化的板条马氏体、高位错密度的亚结构组织、在该组织上分布均匀、细小的炭化物颗粒强化基体,为钢的高强高韧奠定了良好基础。
5) high density dislocation
高密度位错
6) Etch-Pit-Density
位错密度(EPD)
补充资料：位错密度
分子式：
CAS号：
性质：晶体单位面积上通过位错线数目，或单位体积内全部位错线的总长。晶体位错密度通常用光学显微镜、X射线衍射、电子衍射和电子显微镜等进行直接观察或间接测定。位错密度是衡量单晶质量好坏的重要指标。一般单晶中位错密度在103～104/cm2以下，较差的达108～109/cm2。
CAS号：
性质：晶体单位面积上通过位错线数目，或单位体积内全部位错线的总长。晶体位错密度通常用光学显微镜、X射线衍射、电子衍射和电子显微镜等进行直接观察或间接测定。位错密度是衡量单晶质量好坏的重要指标。一般单晶中位错密度在103～104/cm2以下，较差的达108～109/cm2。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条