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1)  density of geometrically necessary dislocation
几何必需位错密度
2)  geometrically necessary dislocation
几何必须位错
3)  Dislocation density
位错密度
1.
Investigation on dislocation density of SiGe alloy grown by MBE;
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2.
Determination of the kinetics for dynamic recrystallization based on dislocation density variation
基于位错密度变化的动态再结晶动力学确定方法
3.
The basic theories and the applications of both the critical resolved shear stress model and visco-plastic model are presented for predicting the dislocation density during crystal growth process.
与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响。
4)  density of dislocation
错位密度
5)  geometric mean DOS
几何平均态密度
1.
In this paper, by using the ratio of geometric mean DOS and arithmetic mean DOS R, the localization properties of eigenstates, and the relation between metal-insulator transition and model parameter are investigated in one-dimensional non-uniform and (or) disorder systems.
我们的研究结果表明,几何平均态密度和代数平均态密度的比值R,可以作为一个好的物理量来研究一维无序以及非均匀系统中粒子运动的局域化问题。
6)  geometric power spectral density
几何功率谱密度
1.
We establish a kind of logarithmic-order processes and their geometric power,geometric correhtion,geometric power spectral density.
本文在简要介绍稳定分布统计特性的基础上,介绍了常用的信号非线性变换方法,并利用自然对数变换,建立不同于传统二阶过程的对数阶过程及其几何功率、几何相关、几何功率谱密度等新的信号分析概念,提出了一种新的稳定分布对数阶白噪声概念及其判断准则。
补充资料:位错密度
分子式:
CAS号:

性质:晶体单位面积上通过位错线数目,或单位体积内全部位错线的总长。晶体位错密度通常用光学显微镜、X射线衍射、电子衍射和电子显微镜等进行直接观察或间接测定。位错密度是衡量单晶质量好坏的重要指标。一般单晶中位错密度在103~104/cm2以下,较差的达108~109/cm2。

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参考词条