1) strength of dislocation
位错强度
2) dislocation strengthening
位错强化
1.
This increase in strength corresponds well to the calculation of a dislocation strengthening model using dislocation densities measured from TEM observations.
对组织的观察和位错密度的测量表明 ,该强化作用与位错强化模型的计算结果一致。
3) dislocations strengthening
位错强化
1.
The paper study the microstructure,the second phase particle precipitating,dislocations strengthening in different TMCP conditions to optimize the technological condition for lager industrialized production.
通过研究不同TMCP工艺下实验钢的微观组织、第二相粒子析出和位错强化等规律,优化最佳的生产工艺,为工业化大生产提供必要的指导。
4) Dislocation density
位错密度
1.
Investigation on dislocation density of SiGe alloy grown by MBE;
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2.
Determination of the kinetics for dynamic recrystallization based on dislocation density variation
基于位错密度变化的动态再结晶动力学确定方法
3.
The basic theories and the applications of both the critical resolved shear stress model and visco-plastic model are presented for predicting the dislocation density during crystal growth process.
与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条