1) via
[英]['vaɪə] [美]['vaɪə]
通孔
1.
Analysis and simulation of joule heat effect of interconnect via in integrate circuit;
集成电路互连铝通孔焦耳热效应的分析与模拟仿真
2.
Research progress in vertical via interconnect in microwave multi-chip module;
微波多芯片组件中垂直通孔互连的研究进展
3.
Simulation on Vertical Via Interconnect Using Matrix-Penciled Moment Method in Multi-Chip Module;
微波多芯片组件中垂直通孔互连的矩阵束矩量法仿真
2) through-hole
通孔
1.
Effect of Different Additives on the uniform Deposition of through-hole by Pulse Electroplating in Acidic Copper Plating Bath;
添加剂对脉冲酸性镀铜通孔均匀沉积的影响
2.
Preparation of self-standing,through-hole anodic alumina membranes by cathodic polarization method in a neutral KCl solution;
中性水溶液中阴极电解制备自支撑通孔氧化铝膜
3.
Applying the software of ANSYS,based on the flat plat specimen,the finite element analysis about the wear resistance of bionic non-smooth through-hole specimen was given.
利用ANSYS软件,以平板试件为对比基准,对具有仿生非光滑通孔结构试件的耐磨机制进行了有限元分析。
3) via hole
通孔
1.
A study on GaAs backside via hole etching technique;
GaAs背面通孔刻蚀技术研究
2.
The limitation of the theoretical formula was analyzed for calculating the inductance of column via hole.
分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性。
4) Vias
通孔
1.
Modeling and Analysis of Vertical Vias in High Speed Printed Circuit Board;
高速印刷电路板间垂直通孔的建模与分析
2.
Electromagnetic Modeling and Analysis of Vias in High-speed Circuit;
高速电路中通孔结构的电磁建模与分析
3.
Full Wave Characterization Analysis of Entire Vias in High Speed Printed Circuit Board
高速印刷电路板间完整通孔的全波特性分析
5) through hole
通孔
1.
This paper introduced a copper plating process for micro-via filling and through hole plating simultaneously in DC application.
介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺,同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。
6) via
[英]['vaɪə] [美]['vaɪə]
通孔;镀通孔
补充资料：光子选通光谱烧孔光存储材料
光子选通光谱烧孔光存储材料
photogated spectral hole burning optical storage materials
光子选通光谱烧孔光存储材料photogatedsPeetral hole burning oPtieal storage materials当有选通光存在时，利用窄线激光光束，在材料的不均匀增宽吸收线上烧出持久光谱孔，作为二进制数字编码的光盘存储材料。由于增加了频率范畴的烧孔，使原有平面内的烧孔密度进一步扩大。这实际上是一种高密度频域光存储材料。 激光引起的持久光谱烧孔现象在许多有机和无机系统中存在，其中由于光学中心微观环境的不等价效应，引起吸收线的不均匀增宽。在这种情况下，吸收线内特定频率的吸收是与某一等价中心子集相应的。这样，利用一线宽适当窄的可调谐激光束，就能在不均匀线内选择一组吸收与激光频率共振的子集(离子或分子)，激发或引起其产生光物理或光化学变化，而由于这种离子的减少，就引起原来不均匀增宽吸收线上相应频率处吸收的减少，形成凹陷，产生了所谓的持久光谱烧孔。 单频激光烧孔(或称单光子烧孔)作为光存储应用时，由于读出光与写入光频率相同，读出时仍有烧孔效应，反复读出后，不可避免地要引起孔的退化和信噪比的降低。 光子选通烧孔不同，其中，烧孔是经过两步过程完成的。第一步是选择激发过程，它保证在不同子集之间不发生相互作用的条件下，通过调谐激光频率，在不均匀增宽吸收线内选择一组离子(分子)子集激发，使之达到某一中间态;第二步是利用频率不同的选通激光，进一步作用于已被激发的离子(或分子)，使其产生某种光物理或光化学变化(如光电离、光解离，施主受主电子转移等)，由于这部分离子的减少，就在不均匀吸收线上产生了孔，在光存储应用中即表现为信息写入过程。信息的读出，也就是孔的探测过程。这时只须用一与选择激发同样频率范围的可调谐激光器，通过测吸收或激发光谱的方法，在整个不均匀吸收线上，探测有孔或无孔来完成。由于不加选通光，只用一束光探测，从而避免了孔退化和信噪比降低。 通常，光谱孔的频宽△。h近似地为均匀线宽的两倍，△。h一2△。H，在不均匀增宽线上能烧出孔的数目，可由不均匀线宽△。i对孔宽△。h之比(△。l’/△。h)来确定。在液氦温度下，对某些材料可达10“一10‘的量级。这样，对于一束聚焦到1召m直径的光斑点(其平面密度相当于107一10sbit/cm)，利用光谱烧孔来存储信息，可将存储密度提高到10‘。bit/cm的量级。 这种烧孔大多在低温下进行。随着温度升高，孔宽增加，存储密度将减小。在一定的温度以上不再能烧孔，或已烧出的孔消失，从而达到擦除的目的。除了这种热擦除以外，低温下的孔主要通过特定波长的光照来擦除，因而被用来做可擦除光存储器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条