1) silicon oxynitride
氮氧化硅
1.
The ordered silicon oxynitride mesoporous materials with nitrogen content 23.
5nm的氮氧化硅有序介孔分子筛材料。
2.
Low-stress silicon oxynitride(SiOxNy) films used for the switches of the micro-electronic-mechanics system(MEMS) switch were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD).
给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。
2) SiON
[英]['saiən] [美]['saɪən]
氮氧化硅
1.
During SiON hard mask layer wet removing process after polysilicon etching,hot phosphoric acid(H3PO4) easily induces surface particle.
在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。
3) Silicon oxynitride
氧氮化硅
4) Si 2N 2O
氧氮化硅
1.
In this paper,the rotating cylinder method and the crucible method are used to study the cryolite resistence of Si 3N 4 bonded SiC?Si 2N 2O bonded SiC and Sialon bonded SiC.
采用旋转圆柱法和坩埚法 ,研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能 ,结果表明 ,氮化硅结合碳化硅材料综合性能最
5) (carbon) silicon (oxy)nitride
氮(碳/氧)化硅
6) silicon oxynitride and oxide glasses
氮氧化硅与氧化硅玻璃
1.
The difference of properties between silicon oxynitride and oxide glasses is not mainly from the difference of stretching force constant, or of ion.
计算表明氮氧化硅与氧化硅玻璃之间在性能上的差异，主要不是由ＳｉＮ和ＳｉＯ键的伸缩力常数之间的差异所引起的，也不是由ＳｉＮ和ＳｉＯ键的离子键强度之间的差异所引起的。
补充资料：硅-氧化钠-五氧化二钒系湿敏材料
分子式：
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条