1) magnesia and silicon nitride
氧化镁-氮化硅
2) magnesium silicon nitride
氮化硅镁
1.
The new route to preparation of magnesium silicon nitride (MgSiN2) powder by combustion synthesis in nitrogen gas with several different starting mixtures (Mg+Si, Mg2Si, Mg+Si3N4) was investigated.
研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同。
3) SiON
[英]['saiən] [美]['saɪən]
氮氧化硅
1.
During SiON hard mask layer wet removing process after polysilicon etching,hot phosphoric acid(H3PO4) easily induces surface particle.
在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。
4) Silicon oxynitride
氧氮化硅
5) Si 2N 2O
氧氮化硅
1.
In this paper,the rotating cylinder method and the crucible method are used to study the cryolite resistence of Si 3N 4 bonded SiC?Si 2N 2O bonded SiC and Sialon bonded SiC.
采用旋转圆柱法和坩埚法 ,研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能 ,结果表明 ,氮化硅结合碳化硅材料综合性能最
6) silicon oxynitride
氮氧化硅
1.
The ordered silicon oxynitride mesoporous materials with nitrogen content 23.
5nm的氮氧化硅有序介孔分子筛材料。
2.
Low-stress silicon oxynitride(SiOxNy) films used for the switches of the micro-electronic-mechanics system(MEMS) switch were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD).
给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。
补充资料：氮化硅晶须补强氮化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条