1) silicon oxynitride
硅氧氮
1.
Precursor synthesis and mechanical properties of silicon oxynitride;
硅氧氮陶瓷的先驱体法合成及性能的研究
2) SiON
[英]['saiən] [美]['saɪən]
氮氧化硅
1.
During SiON hard mask layer wet removing process after polysilicon etching,hot phosphoric acid(H3PO4) easily induces surface particle.
在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。
3) Silicon oxynitride
氧氮化硅
4) Si 2N 2O
氧氮化硅
1.
In this paper,the rotating cylinder method and the crucible method are used to study the cryolite resistence of Si 3N 4 bonded SiC?Si 2N 2O bonded SiC and Sialon bonded SiC.
采用旋转圆柱法和坩埚法 ,研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能 ,结果表明 ,氮化硅结合碳化硅材料综合性能最
5) silicon oxynitride
氮氧化硅
1.
The ordered silicon oxynitride mesoporous materials with nitrogen content 23.
5nm的氮氧化硅有序介孔分子筛材料。
2.
Low-stress silicon oxynitride(SiOxNy) films used for the switches of the micro-electronic-mechanics system(MEMS) switch were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD).
给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。
6) (carbon) silicon (oxy)nitride
氮(碳/氧)化硅
补充资料：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
CAS：68554-53-0
中文名称：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
英文名称：Siloxanes and Silicones, di-Me, (octadecyloxy)-terminated
中文名称：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
英文名称：Siloxanes and Silicones, di-Me, (octadecyloxy)-terminated
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条