1) silicon nitride
氮化硅
1.
Preparation of silicon nitride powder by a direct nitridation process based on fluidization technology;
基于流态化技术硅粉直接氮化制备氮化硅粉
2.
High-temperature fatigue behavior in pre-cracked silicon nitride composites doped with ytterbium oxide;
Yb_2O_3掺杂氮化硅复合材料的高温动态疲劳行为
2) Si_3N_4
氮化硅
1.
Analytic equations of state and thermo-physical properties for the α,β,and γ-Si_3N_4;
氮化硅α,β和γ相的解析状态方程和热物理性质
2.
Precision Machining of Spiral Si_3N_4 Ceramic Plunger Couples Based on FEA;
基于FEA的螺旋式氮化硅陶瓷柱塞偶件精密加工技术研究
3.
The fluid-dynamic study and CFD simulation of bubbling fluidized bed for Si_3N_4 synthesis;
流态化合成氮化硅的鼓泡床冷模试验与CFD模拟
3) Si3N4
氮化硅
1.
Machining Characters of HSWEDM Assisting Electrode Method Machining Insulated Ceramics Si3N4;
绝缘陶瓷氮化硅高速走丝线切割加工技术研究
2.
Experimental Research on ELID Precision Grinding of the Si3N4;
氮化硅材料的ELID精密磨削试验研究
3.
Si3N4 bonded SiC product was prepared by firing at 1?380?℃ for 5?h under nitrogen atmosphere with SiC,FeSi and Si powder as principal raw materials.
以碳化硅(SiC)、硅铁(FeSi)粉、硅(Si)粉为主要原料,在氮气气氛下1 380℃保温5 h制得氮化硅结合碳化硅制品,研究了硅铁粉加入量对试样常温力学性能的影响。
4) Si 3N 4
氮化硅
1.
The Processes to fabricate Si 3N 4/SiC materials by reaction sintering are introduced.
介绍了反应烧结形成氮化硅 /碳化硅材料的制备工艺 ,对该材料的微观结构、性能及其影响因素进行了阐述 ,并介绍了该材料的应用背
2.
The cutting ability of Si 3N 4 ceramic cutting tools and the questions that we should pay attention to in practice using are discussed to extend the ceramic cutting tools' use in mechanical machining industry.
阐述了氮化硅陶瓷刀具的切削性能及其在实际应用中应该注意的问题 ,为在机械加工行业中推广应用陶瓷刀具作了初步的探
3.
In this paper,the rotating cylinder method and the crucible method are used to study the cryolite resistence of Si 3N 4 bonded SiC?Si 2N 2O bonded SiC and Sialon bonded SiC.
采用旋转圆柱法和坩埚法 ,研究了氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅、塞隆结合碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性能 ,结果表明 ,氮化硅结合碳化硅材料综合性能最
5) SiN_x
氮化硅
1.
OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF ANNEALING SiN_x∶H THIN FILM;
热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响
2.
This article is about how to use Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition(ECRCVD) method to prepare amorphous silicon nitride(SiN_x)film.
探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。
补充资料：氮化硅
化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44克/厘米3(20℃)；有两种变体：α型为六方密堆积结构；β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。
氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应：
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种：在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应；在1500℃时将纯硅与氨作用；在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应：
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种：在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应；在1500℃时将纯硅与氨作用；在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条