1) density of states
态密度
1.
Probing the total density of states in a photonic crystal with different number density distributions of luminescent molecules;
用不同密度分布的发光分子探测光子晶体的全态密度
2.
Based on the computed results, the total density of states and partial density of states of perfect PWO crystals and PWO crystals with interstitial oxygen atoms were calculated using DV_X α program.
运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关。
3.
The energy bands and density of states were calculated using the VASP(Vienna ab-initio simulation package) program.
在此基础上计算了化合物的能带结构和电子能态密度。
2) Density of state
态密度
1.
The band structure,energy gap,the density of states and the partial density of states in the case .
讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响;分析了体系平衡时的能带结构、能隙、态密度和分波态密度。
2.
The photonic band structure, photonic density of states, the transmission and reflection coefficients along ГX direction were obtained.
通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好。
3.
Through an analysis of the difference of the density of state and electron charge density between the unrelaxed and relaxed surface,we found that the α-Al_ 2O_ 3(0001) crys.
通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化 ,表明表面能级分裂主要来自于O的2 p轨道电子态变化 ,α Al2 O3( 0 0 0 1 )表面明显地表现出O的表面态 。
3) DOS
[英][du:z] [美][dɑs, dɔs]
态密度
1.
The conductivity of these nanotubes was discussed in terms of energy bands, density of states (DOS), and were compared with pure BNNT.
用密度泛函理论的DFT/ROB3LYP方法计算了几种一碳掺杂 (碳取代一个硼原子或氮原子 )的硼氮纳米管的电子结构 ,研究了其导电性 ,得到了这种碳掺杂硼氮纳米管的能带结构和态密度曲线 ,并与纯硼氮纳米管作了比较 ,讨论了碳掺杂对硼氮纳米管导电性的影响 。
2.
Both GGA and LDA are applied to calculate the band structure and DOS of MgB2(001),the ionic "core" is represented by Pseudo potential.
采用密度范函理论计算了金属化合物MgB2(001)薄膜结构的电子能带结构和状态密度,计算的交换相关能分别采用LDA和GGA。
3.
Finally, we have studied the DOS and transmission spectrum of the two probe system.
计算了非极化情况下两电极系统Co-XC_6H_4X-Co的态密度和透射系数,根据计算结果,Co-SC_6H_4S-Co、Co-SeC_6H_4Se-Co和Co-TeC_6H_4Te-Co的态密度有微小变化,这说明不同的X原子及其成键距离引起了成键能级的变化;对透射系数的研究表明,两电极系统Co-XC_6H_4X-Co存在不同程度的谐振隧穿现象,其中Co-SC_6H_4S-Co的电子透射性最强。
4) State density
态密度
1.
A state density representative of microscopic system related to Matsubara function is theoretically given under finite temperature.
从理论上给出了微观系统在有限温度下态密度用松原函数表示的表达式。
2.
The energy eigenvalues of the particles in the quantum structures are calculated using Schrodinger equation,also the state density and gains of quantum structure lasers are calculated.
将量子结构中的边界条件应用于薛定谔方程的求解,计算了量子结构中粒子的能量本征值及量子结构激光器的态密度和增益,比较了量子点、量子线、量子阱激光器的波长-增益特性,从能量本征值角度探讨了各种量子结构特性差异的根本原因,阐述了量子点激光器的实现问题,分析结果表明,量子点激光器具有高增益、高单色性的特点。
3.
In the paper we discussed the interface effect of subthreshold characterization parameter on a Si TFT with a Si:H/a SiN x :H heterojunction and the thickness effect of active layer by using effective interface state density.
实验结果表明 :亚阈特征参数主要由异质界面的有效界面态密度决定 ,当 NH3/Si H4 比增加时亚阈特征参数下降 ,增加 a-Si Nx 材料的淀积温度 ,可使亚阈特性得到明显的改善 ,a-Si:H有源层的厚度减小 ,抑制了亚阈参数的增加 ,阈值电压也减小并趋于稳定 ,且 TFT的 ION/IOF F随有源层厚度呈现近似抛物线状变化规律。
5) density of states (DOS)
态密度
1.
The electronic energy spectrum and density of states (DOS) for several simple ring copolymers have been studied by using a tight-binding calculation.
针对由小带隙的聚乙炔和大带隙的苯作为聚合物单体的聚合物的几种简单环状模型,采用紧束缚近似计算方法,研究了它们的电子能谱和态密度特征,并考虑到环状结构的特点,同时在计算过程中也考虑了聚乙炔链中的最近邻和次近邻跃迁。
2.
Electronic structure and Density of states (DOS) of PPP hompolymer, PA homopolymer and their triblock copolymers have been studied by using a tight-binding calculation.
对均聚物PPP和PA以及三嵌段共聚物的态密度(densityofstates,(DOS) )进行了计算分析 ,发现共聚物的态密度与均聚物的态密度有着显著的区别 ,共聚物的带隙的大小介于大带隙的PPP和小带隙的PA之间 ,在共聚物中与PPP的导带和价带的子带隙以及共聚物的导带底和价带顶中 ,所存在的能态密度只能由PA来提供 ,而在共聚物的价带底和导带顶的能态密度则取决于PPP的态密度。
6) PDOS
分态密度
1.
From the PDOS, the interactions of p, d and s electrons were analyzed.
通过分态密度(PDOS)分析了s,p和d轨道电子的相互作用规律。
补充资料：态密度
分子式：
CAS号：
性质：固体物理中的重要概念，即能量介于E～E+△E之间的量子态数目△Z与能量差△E之比：N(E)=。N-E关系反映出固体中电子能态的结构，固体中的性质如电子比热，顺磁磁化率等与之关系密切。在技术上，可利用X射线发射光谱方法测定态密度。对自由电子而言，N(E)=4πVEl/2(2m)3/2/h3，式中V为晶体体积，h为普朗克常数，m为电子质量。
CAS号：
性质：固体物理中的重要概念，即能量介于E～E+△E之间的量子态数目△Z与能量差△E之比：N(E)=。N-E关系反映出固体中电子能态的结构，固体中的性质如电子比热，顺磁磁化率等与之关系密切。在技术上，可利用X射线发射光谱方法测定态密度。对自由电子而言，N(E)=4πVEl/2(2m)3/2/h3，式中V为晶体体积，h为普朗克常数，m为电子质量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条