1) density of states
能态密度
1.
Without considering curvature effect,we study the contribution of the electronic heat capaci- ty,group velocity and density of states of(6,0)Single-walled carbon nanotubes.
在忽略卷曲效应的情形下,计算(6,0)管的电子能量、群速及能态密度三个参量,然后利用这些参量推算重要热学量电子比热客。
2.
It clearly shows the important role of density of states in study of physical phenomena in semiconductors.
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。
2) density of electronic states
电子能态密度
1.
The ground state s density of electronic states and the magnetic properties of V-and Cr-doped zinc-blende CdSe have been investigated by carrying out the first-principles plane-wave pseudopotential method within the generalized gradient approximation.
在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究。
3) particle's state of energy
粒子能态密度
4) Landau level density of states
朗道能级态密度
5) density of state function
能态密度函数
6) effective density of state
有效能态密度
补充资料：电子态密度
电子态密度
density of electronic states
电子态密度density of eleetronie states在电子能级为准连续分布的情况下，单位能量间隔内的电子态数目。若用△Z表示能量在E与E+△E间隔内的电子态数目，则能态密度函数的定义为N(E，一盗么器(l)如果在k空间中作出等能面，即E(k)~常数，那么在等能面E(k)一E和E(k)一E+△E之间的状态的数目就是△Z。由于状态在h空间分布是均匀的，密度为V/(2刃)“，△Z可以表示为一命jusdk(2)式中V为晶体体积，ds为k空间中体积元，积分对等能面进行，dk为两等能面间的垂直距离。△E可以表示为 △E=dk}?kE}(3)}甲、引是沿法线方向能量的改变率，代入式(2)和(1)，并考虑到电子自旋，最后可能N(E)=(4)由上式可知，在相应于}甲*川为零的点的能量附近，态密度会显示出结构。这些由于晶体的对称性和周期性而必定存在的点，称为范霍甫奇点。在范霍甫奇点处的那些态的能量，可通过光学或X射线方法测量确定。 能态密度与能带结构密切相关，是一个重要的基本函数。固体的许多特性，如电子比热、光和X射线的吸收和发射等，都与能态密度有关。 (王以铭曾令之)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条