1) total density of states
全态密度
1.
The distribution of local density of states(LDOS) in quasiperiodic photonic crystal(QPC) and the total density of states(DOS) are studied.
本文研究了准晶光子晶体的局域态密度和全态密度。
2) safe density
安全密度
1.
While under the condition of high temperature and high pressure,the safe drilling in thin safe density window is the technical difficulty that can not be solved well around the world.
随着深部油气藏的勘探和开发,深井及超深井的数量大幅度增加,而深井超深井在高温高压条件下,窄安全密度窗口内的安全钻井是当前国内外都未能很好地解决的重大技术难题。
3) global density
全局密度
1.
Based on random sets theory,false alarms and miss-detections in the background were considered,then,belief measure and its global density of targets were presented.
基于随机集理论,根据虚警及漏测的情况,给出了目标的信任测度及其全局密度。
5) density of states
态密度
1.
Probing the total density of states in a photonic crystal with different number density distributions of luminescent molecules;
用不同密度分布的发光分子探测光子晶体的全态密度
2.
Based on the computed results, the total density of states and partial density of states of perfect PWO crystals and PWO crystals with interstitial oxygen atoms were calculated using DV_X α program.
运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关。
3.
The energy bands and density of states were calculated using the VASP(Vienna ab-initio simulation package) program.
在此基础上计算了化合物的能带结构和电子能态密度。
6) Density of state
态密度
1.
The band structure,energy gap,the density of states and the partial density of states in the case .
讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响;分析了体系平衡时的能带结构、能隙、态密度和分波态密度。
2.
The photonic band structure, photonic density of states, the transmission and reflection coefficients along ГX direction were obtained.
通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好。
3.
Through an analysis of the difference of the density of state and electron charge density between the unrelaxed and relaxed surface,we found that the α-Al_ 2O_ 3(0001) crys.
通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化 ,表明表面能级分裂主要来自于O的2 p轨道电子态变化 ,α Al2 O3( 0 0 0 1 )表面明显地表现出O的表面态 。
补充资料：全密度材料
分子式：
CAS号：
性质：又称全致密材料。无残留孔隙或相对密度不小于98%的粉末冶金制品或材料。通常使用热成型技术（如粉末锻造、热等静压、热挤压、电火花烧结等），可将粉末冶金材料中的残留孔隙降低到2%以下。另外液相烧结、熔渗技术（如钨渗铜，硬质合金等）的密度接近全密度值。粉末冶金法与熔炼法制得的全密度材料相比，粉末法成分更均匀，可少切削，少加工，材料利用率大大提高。
CAS号：
性质：又称全致密材料。无残留孔隙或相对密度不小于98%的粉末冶金制品或材料。通常使用热成型技术（如粉末锻造、热等静压、热挤压、电火花烧结等），可将粉末冶金材料中的残留孔隙降低到2%以下。另外液相烧结、熔渗技术（如钨渗铜，硬质合金等）的密度接近全密度值。粉末冶金法与熔炼法制得的全密度材料相比，粉末法成分更均匀，可少切削，少加工，材料利用率大大提高。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条