1) densities of accessible final states
终态密度
1.
The densities of accessible final states for calculations of multi—step compound reactions are derived.
导出了适用于多步复合核反应中所需的终态密度,粒子—空穴态密度被推广到区分中子、质子的情形,计算结果与有关的结果进行了比较,表明严格考虑泡利效应是十分必要的。
2) final density
终极密度
1.
It has been found that hot press densification involve three steps: rapid densification, densification slow down, and tendence to final density.
本文研究了ＳｉＣＷ／ＺＩＡ（Ｙ）陶瓷基复合材料热压致富化的基本过程，发现晶须补强陶瓷基复复合材料的致密化可分为快速致富化、致富化减速、趋于终极密度等三个阶段。
3) final density,terminal density
最终密度
4) density of states
态密度
1.
Probing the total density of states in a photonic crystal with different number density distributions of luminescent molecules;
用不同密度分布的发光分子探测光子晶体的全态密度
2.
Based on the computed results, the total density of states and partial density of states of perfect PWO crystals and PWO crystals with interstitial oxygen atoms were calculated using DV_X α program.
运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关。
3.
The energy bands and density of states were calculated using the VASP(Vienna ab-initio simulation package) program.
在此基础上计算了化合物的能带结构和电子能态密度。
5) Density of state
态密度
1.
The band structure,energy gap,the density of states and the partial density of states in the case .
讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响;分析了体系平衡时的能带结构、能隙、态密度和分波态密度。
2.
The photonic band structure, photonic density of states, the transmission and reflection coefficients along ГX direction were obtained.
通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好。
3.
Through an analysis of the difference of the density of state and electron charge density between the unrelaxed and relaxed surface,we found that the α-Al_ 2O_ 3(0001) crys.
通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化 ,表明表面能级分裂主要来自于O的2 p轨道电子态变化 ,α Al2 O3( 0 0 0 1 )表面明显地表现出O的表面态 。
6) PDOS
分态密度
1.
From the PDOS, the interactions of p, d and s electrons were analyzed.
通过分态密度(PDOS)分析了s,p和d轨道电子的相互作用规律。
补充资料：电子态密度
电子态密度
density of electronic states
电子态密度density of eleetronie states在电子能级为准连续分布的情况下，单位能量间隔内的电子态数目。若用△Z表示能量在E与E+△E间隔内的电子态数目，则能态密度函数的定义为N(E，一盗么器(l)如果在k空间中作出等能面，即E(k)~常数，那么在等能面E(k)一E和E(k)一E+△E之间的状态的数目就是△Z。由于状态在h空间分布是均匀的，密度为V/(2刃)“，△Z可以表示为一命jusdk(2)式中V为晶体体积，ds为k空间中体积元，积分对等能面进行，dk为两等能面间的垂直距离。△E可以表示为 △E=dk}?kE}(3)}甲、引是沿法线方向能量的改变率，代入式(2)和(1)，并考虑到电子自旋，最后可能N(E)=(4)由上式可知，在相应于}甲*川为零的点的能量附近，态密度会显示出结构。这些由于晶体的对称性和周期性而必定存在的点，称为范霍甫奇点。在范霍甫奇点处的那些态的能量，可通过光学或X射线方法测量确定。 能态密度与能带结构密切相关，是一个重要的基本函数。固体的许多特性，如电子比热、光和X射线的吸收和发射等，都与能态密度有关。 (王以铭曾令之)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条