1) electric field aided lateral crystallization(FALC)
电场增强金属诱导横向结晶
2) Electric field aided lateral crystallization
电场增强横向诱导结晶
3) Metal-induced lateral crystallization
金属诱导横向结晶
1.
Also,problems existing in electric field-aided metal-induced lateral crystallization were discussed.
对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。
4) metal-induced unilateral crystallization
金属单向诱导横向晶化
5) MILC
金属诱导横向晶化
1.
,the metal-induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA) and inductively coupled plasma CVD(ICP-CVD),with their advantages and disadvantages compared wi.
本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。
2.
The principles and progress of LTPS preparation methods including metal induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA),catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) were systematically introduced.
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。
3.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
6) metal induced lateral crystallization
金属诱导横向晶化
1.
Poly-Si TFT was fabricated at low temperature by metal induced lateral crystallization.
采用金属诱导横向晶化法低温研制了 poly SiTFT。
补充资料：金属横向诱导法(milc)
20世纪90年代初发现a-si中加入一些金属如al，cu，au，ag，ni等沉积在a-si∶h上或离子注入到a-si∶h薄膜的内部，能够降低a-si向p-si转变的相变能量，之后对ni/a-si:h进行退火处理以使a-si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在tft中应用。随后发现ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当的相变能量，使用镍金属诱导a-si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于spc多晶硅的晶界势垒高度，因此，milc tft具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属ni与a-si在界面处形成nisi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-si原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，nisi2层破坏，ni原子逐渐向a-si层的底层迁移，再形成nisi2硅化物，如此反复直a-si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在1o小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。
金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是milc目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。我们采用milc和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-si薄膜在低温环境下快速横向晶化。得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条