1) direct growth method
直接生长成膜法
1.
The SiNWs electrodes were fabricated by coating and direct growth methods,respectively.
采用涂膜法和直接生长成膜法分别制备两种硅纳米线电极。
2) direct growth
直接生长
1.
Monocrystalline GaAs layer grown on (100),(111) and (211) Si substrate by hot wall epitaxy two-step growth and direct growth is reported.
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)面最
3) direct synthesis
直接合成法
1.
The advances in preparing AES resin by direct synthesis and blend were reviewed,containing the technology of solution polymerization,emulsion polymerization,suspension polymerization,application of compatilizer and chemical reaction during the mixture for compatibilization.
概述了直接合成法和共混法制备AES(丙烯腈/三元乙丙橡胶/苯乙烯共聚物)树脂方面的研究进展,包括溶液聚合、乳液聚合、悬浮聚合、加入相容剂增容和利用混合过程中的化学反应来增容等工艺和技术,并提出了关于今后AES树脂制备和应用发展建议。
2.
Recent progress in research of direct synthesis of hydrogen peroxide from H_2 and O_2 was reviewed.
介绍了国内外近年来在氢氧直接合成法合成H2O2方面的研究进展。
3.
The latest progresses in studies on preparing dimethyl carbonate including direct synthesis from CO2 and methanol,ester interchange and direct alcoholysis of urea were reviewed,under homogeneous catalysis system,non-homogeneous catalysis system,ionic liquids catalysis system,supercritical reaction system and phot.
综述了国内外CO2和甲醇直接合成法、酯交换法和尿素醇解法合成碳酸二甲酯的研究进展,在均相催化体系、非均相催化体系、离子液体催化体系、超临界反应体系以及光催化反应体系下概述了上述方法的研究概况。
4) direct synthesis
直接法合成
1.
Catalyst system influence on direct synthesis methylchlorosilane;
催化体系对直接法合成甲基氯硅烷的影响
2.
Study on technique of direct synthesis of methyl tin chloride
直接法合成甲基氯化锡的工艺研究
5) directly sintering method
直接烧成法
6) direct imaging method
直接成像法
补充资料：直接
不经过中间事物的。与“间接”相对：直接取用｜直接关系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条