1) growth by Cz method
直拉法生长
1.
This paper introduces the basic principle and process conditions of single crystal silicon growth by Cz method.
介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。
2) Czochralski method
提拉法生长
1.
Cadmium gadolinium tungstate [CdGd_2(WO_4)_4,CGW] single crystal was grown by the Czochralski method.
采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。
3) growth diameter
生长直径法
1.
The growth diameter of fungi showed that Bacillus cereus 357 produced different amount of bioactive substance depending on the culture media as well.
建立了判断对357细菌活性物质相对浓度的方法即生长直径法,同时指出,抑菌圈不能有效地反映357细菌活性物质的相对浓度。
4) Czochralski crystal growth
提拉法晶体生长
1.
What this paper study including: (1) In the Czochralski crystal growth process, thermal radiation is one of the main method of heat transfer, the radiation transfer between surfaces takes the principle actor as the gas in the furnace has less affect in radiation process.
本文针对提拉法晶体生长全局特点,研究内容包括以下几个方面:(1)在提拉法晶体生长过程中,辐射换热将在热量传递过程中起主要作用,气体介质参与辐射传热作用很小,主要表现为表面之间的辐射换热。
5) direct growth method
直接生长成膜法
1.
The SiNWs electrodes were fabricated by coating and direct growth methods,respectively.
采用涂膜法和直接生长成膜法分别制备两种硅纳米线电极。
6) pulling growth
拉制生长
补充资料：提拉法
分子式：
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
CAS号：
性质：一种生长单晶的常用方法。将生长晶体用的材料置于适当的坩埚中加热熔融，使熔体保持在略高于材料熔点的温度下。将固定在拉杆上的籽晶与熔体表面接触，拉杆在不停地旋转中缓缓地向上提升。拉杆的散热作用使子晶上产生一定的温度梯度，促使熔体在晶体的下端不断地结晶。这种方法可以直接观测到晶体的生长过程，并可以通过调整各种条件得到大尺寸的单晶体。很多重要的无机固体材料的单晶体都可以利用这种方法制造，特别适合于生产大尺寸的技术晶体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条