1) InAs deposition
InAs沉积量
1.
0 ML/sThe evolution of these quantum dots with InAs deposition θ was investigated by atomic force microscope.
原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0。
2) InAs quantum dots
InAs量子点
1.
InAs quantum dots(QDs) have been grown on the GaAs(001)substrates by the method of molecular beam epitaxy.
用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点,在InAs量子点上插入3 nm的In0。
2.
Single-and Multi-layer InAs quantum dots grown on (001) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) were studied by transmission electron diffraction (TEM) and the structural properties of the quantum dots were discussed.
报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论。
3.
InAs quantum dots(QDs) with different cap layers were fabricated by molecule beam epitaxy(MBE) system.
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。
4) mass deposition
质量沉积
1.
the mass deposition of implanted Fe + ions.
110 ke V Fe+ 离子注入原卟啉 IX二钠盐薄膜样品后的一些谱学分析结果表明 ,低能铁离子束辐照可以导致生物分子的损伤和化学改性 ,并且初步证实注入铁离子在样品分子中慢化沉积后能形成含铁的金属络合物 ,即注入铁离子的质量沉积。
2.
energy deposition, mass deposition, charge exchange and momentum transfer.
介绍了我国在重离子束生物学这门新兴交叉学科领域已经取得的一系列领先成果 ,首次提出了重离子束生物效应系能量沉积、质量沉积、电荷交换和动量传递四者综合作用的结果 。
5) Energy deposition
能量沉积
1.
Energy deposition and radiation effect in MOS structure irradiated with electron beams;
电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应
2.
Calculation of energy deposition in electronically irradiated SiO_2;
电子辐照SiO_2能量沉积计算方法研究
3.
A calculation and comparison of energy deposition irradiation-induced by different sources in silicon;
不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较
6) sedimentation flux
沉积通量
1.
Investigation of sedimentation fluxes, TEQ and sources of PCDD/Fs in Qingdao coastal sea.;
青岛近海PCDD/Fs的沉积通量、毒性当量及来源
2.
Based on the 210Pb method, sedimentation rates and sedimentation flux were measured in the Jiaozhou Bay of the Shandong Peninsula.
胶州湾西北部大沽河口外海域近百年来沉积速率为0 768cm/a,沉积通量为0 7716g/(cm2·a)。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条