1) EUV lithography
EUV光刻
1.
Furthermore,EUV lithography,maskless lithography and nano-imprint lithography will become the main study topics for 22 nm and 16 nm.
指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。
2) EUV lithography technicque
EUV光刻技术
3) EUV filter
EUV滤光片
4) EUV light source
EUV光源
5) EUV GRATING
EUV光栅
6) lithography
[英][lɪ'θɔɡrəfi] [美][lɪ'θɑgrəfɪ]
光刻
1.
On the development of the study of thick photoresist lithography techniques;
厚层抗蚀剂光刻技术研究进展
2.
Gray-tone lithography for microopto-device of arbitrary 3D shaped surfaces;
任意三维表面微型光器件的灰度光刻技术
3.
Design and assembly of projection lithography lens;
光刻机镜头的结构设计与装配
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条