1) rare earth dopant profile
掺杂离子分布
1.
The theoretical study on the effect of rare earth dopant profiles in the core on the output characteristics is carried out.
计算结果证明:不同激励条件下,掺杂离子分布对输出特性的影响存在差异;通过设计光纤内掺杂离子分布规律和形状能有效抑制放大器中的高阶模式,提高输出光的光束质量。
2) ion doping
离子掺杂
1.
From the perspectives of dye photosensitization,positive ion doping,negative ion doping,and new type composite photocatalyst,it investigates the preparation,photocatalysis mechanism,effects and shortcomings of the concerned material.
从染料光敏化、阳离子掺杂、阴离子掺杂及新型复合光催化剂四个方面详细探讨该类复合TiO2的制备方法、催化机理、实际效果和缺点;较系统地介绍可见光化光催化剂的研究现状、成果及前景。
2.
The methods to enhance hydrogen production are reviewed,including addition of sacrificial reagent,addition of sodium carbonate,noble metal loading,metal ion doping,anion doping,dye sensitization,semiconductor composition and ion implantation.
综述了加入牺牲剂、碳酸钠、贵金属负载化、金属离子掺杂、阴离子掺杂、染料光敏化、半导体复合以及离子注入等提高二氧化钛光催化制氢的方法,讨论了这几种改性技术的机理以及对提高二氧化钛在可见光下的制氢效率的作用。
3.
To improve electronic conductivity of LiFePO4 by conductive carbon coating and metal particle or ion doping has b.
通过导电碳包覆及金属或金属离子掺杂等改性方法提高这种材料的电子导电率已成为锂离子电池材料领域的研究热点之一。
3) Doping ion
掺杂离子
1.
Through analysing the making process of the heating type thick film sensors by mixing the ion doping into WO 3 and combining TPD and semiconductor analysis,the effect of the doping ion on the properties of O 3 sensors is studied.
在WO3 中掺入杂质离子 ,制成傍热式厚膜元件 ,结合升温脱附 (TPD)和半导体分析 ,研究了掺杂离子对元件性能的影
4) doping cation
掺杂离子
1.
On the basis of analyzing crystal structure and coloring mechanism of the cobalt blue pigment, new kinds of complex cobalt blue pigments with excellent reflectivity properties were synthesized by using the chemical coprecipitation method to draw Zn2+,Mg2+ and La3+, Y3+ doping cations into CoAl_2O_4 crystal cell.
通过对掺杂离子类型、浓度与反射性能影响的探讨 ,得出结论 :掺杂离子改变钴蓝颜料反射性能的主要作用机理为晶格畸变引起 Co2 +3d轨道电子能级分裂程度的变化。
5) In doping
In离子掺杂
6) dopant distribution
掺杂分布
1.
Based on the mode field theory of passive fiber and rate equation of active fiber,the calculative method of effective mode area and extraction efficiency of fundamental mode for large mode area fibers with arbitrary refractive-index profile and dopant distribution of is presented.
从无源光纤的模场理论和有源光纤的速率方程理论出发,给出了任意折射率分布和掺杂分布光纤的有效模面积和基模提取效率的计算方法,并且通过数值计算对几种典型折射率分布和掺杂分布的光纤性能进行了分析和比较,说明复合折射率光纤与其他传统光纤相比,在百微米量级的大模面积光纤中更具有实用性。
补充资料：掺杂
分子式：
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条