1) Al~(3+) dopant
Al离子掺杂
1.
Relations between Al~(3+) dopants and other conditions with film con-ducting propertics are diseussed.
首次用超声喷雾法制备ZnO膜,研究了溶液组成等对成膜速度的影响,探讨了Al离子掺杂等因素对膜电性能的影响关系。
2) ion doping
离子掺杂
1.
From the perspectives of dye photosensitization,positive ion doping,negative ion doping,and new type composite photocatalyst,it investigates the preparation,photocatalysis mechanism,effects and shortcomings of the concerned material.
从染料光敏化、阳离子掺杂、阴离子掺杂及新型复合光催化剂四个方面详细探讨该类复合TiO2的制备方法、催化机理、实际效果和缺点;较系统地介绍可见光化光催化剂的研究现状、成果及前景。
2.
The methods to enhance hydrogen production are reviewed,including addition of sacrificial reagent,addition of sodium carbonate,noble metal loading,metal ion doping,anion doping,dye sensitization,semiconductor composition and ion implantation.
综述了加入牺牲剂、碳酸钠、贵金属负载化、金属离子掺杂、阴离子掺杂、染料光敏化、半导体复合以及离子注入等提高二氧化钛光催化制氢的方法,讨论了这几种改性技术的机理以及对提高二氧化钛在可见光下的制氢效率的作用。
3.
To improve electronic conductivity of LiFePO4 by conductive carbon coating and metal particle or ion doping has b.
通过导电碳包覆及金属或金属离子掺杂等改性方法提高这种材料的电子导电率已成为锂离子电池材料领域的研究热点之一。
3) Doping ion
掺杂离子
1.
Through analysing the making process of the heating type thick film sensors by mixing the ion doping into WO 3 and combining TPD and semiconductor analysis,the effect of the doping ion on the properties of O 3 sensors is studied.
在WO3 中掺入杂质离子 ,制成傍热式厚膜元件 ,结合升温脱附 (TPD)和半导体分析 ,研究了掺杂离子对元件性能的影
4) doping cation
掺杂离子
1.
On the basis of analyzing crystal structure and coloring mechanism of the cobalt blue pigment, new kinds of complex cobalt blue pigments with excellent reflectivity properties were synthesized by using the chemical coprecipitation method to draw Zn2+,Mg2+ and La3+, Y3+ doping cations into CoAl_2O_4 crystal cell.
通过对掺杂离子类型、浓度与反射性能影响的探讨 ,得出结论 :掺杂离子改变钴蓝颜料反射性能的主要作用机理为晶格畸变引起 Co2 +3d轨道电子能级分裂程度的变化。
5) In doping
In离子掺杂
6) Zn2+-doped
锌离子掺杂
1.
Different amounts of Zn2+-doped titania powders were prepared by the Sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了不同含量Zn2+掺杂的氧化钛粉体,利用TG-DTA、XRD测试技术检测了锌离子掺杂对锐钛矿和金红石相变及其晶体尺度的影响。
补充资料：离子掺杂工艺
分子式：
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条