2) single crystal by zone melting
区熔单晶<冶>
4) seed of single crystal silicon
单晶硅籽晶
5) single-crystal silicon
单晶硅
1.
The micro-tribological and nano-mechanic properties of Ar~+ implanted single-crystal silicon were investigated by using a Micro-tribology Text and a Nano Indenter System, The results show that Ar~+ implantation of single-crystal silicon had increased the wear-resistance, the best dose is 1×10~(16) ions /cm~2.
利用离子注入技术对单晶硅表面进行了氩离子注入,用微摩擦磨损实验机研究了改性层的摩擦磨损行为,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构。
2.
In Chemical-Mechanical polishing experiments we produced optical quality super smooth surfaces on single-crystal silicon, but cannot insure the surface figure.
使用机械 -化学抛光法加工大尺寸单晶硅可获超光滑表面 ,但很难保证良好的面型。
3.
The nano-scratch behaviors of Ar+ implanted single-crystal silicon were investigated by a nano indenter system, the micro-structure of the implanted layer was analyzed with TEM.
通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前,后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构。
6) single crystal silicon
单晶硅
1.
Study of Parameters of Neutron-Irradiated Single Crystal Silicon;
中子辐照的单晶硅参数研究
2.
Study on Partial Cone Cracks in Nano-grinding of Single Crystal Silicon;
单晶硅纳米磨削过程的摩擦裂纹试验研究
3.
Study on establishing and testing for ultra-precision machining single crystal silicon surface roughness of prediction model
单晶硅超精密切削加工表面粗糙度预测模型的建立及试验研究
补充资料：区熔硅单晶
区熔硅单晶
float zone silicon crystal
限制了大功率整流器和晶闸管的反向击穿电压。利用晶体缺陷区熔硅中的晶体缺陷有位错和漩涡缺中子擅变掺杂可获得掺杂浓度很均匀的区熔硅(简称陷。中子遭变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氢一氢混合NTD硅)，从而促进了大功率电力电子器件的发展与气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。其中漩涡缺陷有A、应用。区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷掺B、c和D四种，其特性及易出现的主要条件列于表1。杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。 表1漩涡缺陷在晶体中的分布及其特性一一川一 漩涡缺陷有害，它使载流子寿命下降，进而导致器表3气相掺杂区熔硅单晶寿命值件特性劣化。在器件工艺中它可转化为位错、层错及形目一一一一丁—一一一一厂一气二兀兀丫一.—成局部沉淀，从而造成微等离子击穿或使PN结反向}吧阻干池四卜—一一‘一一一电流增大。这种缺陷不仅使高压大功率器件性能恶化，}“““‘}最小}典塑而且使CCD产生暗电流尖峰。在单晶制备过程中减少1、1。}，nn}、:n(1漩涡缺陷的措施有尽量降低碳含量、提高拉晶速度等。二l‘，、。}_，。}，__} 90年代的水平90年代以来达到的是:区熔硅单}}{晶的最大直径为1 somm，并已商品化，直径200mm的一一一月一‘二二二‘一一仁一二止二一一书‘二二兰一产品正在试验中。晶向一般为(1一l>和<100)。l尸上U{工UUI尸“UU (1)气相掺杂区熔硅单晶。N型掺磷、P型掺硼。无P型/掺B{>50}200}>500位错、无漩涡缺陷。碳浓度[e习<2只10‘“at/em3，典型!>100{4001>1000的可<5大10‘sat/em3。氧浓度<1只10‘6at/em3。电阻率范围和偏差列于表乙少子寿命值列于表3o(2)中子擅变掺杂(NTD)硅单晶。N型掺杂元素 磷，无位错、无漩涡缺陷。碳浓度仁Cs口<2冰10‘6at/em3， 表2气相掺杂区熔硅单晶电阻率范围与偏差二二.二、一/尸、，。1、，，，、‘一，1八1。，一竺二一止里竺竺兰里竺二竺止竺皿典型的可<5丫10‘sat/em3，氧浓度
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参考词条