2) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
3) fumed silica
气相二氧化硅
1.
Production situation of fumed silica and its application in paint;
气相二氧化硅生产现状及其在涂料中的应用
2.
The synthesis mechanism of fumed silica and the application for it in polymer industry;
气相二氧化硅生产及其在高分子工业中的应用
3.
WACKER HDK~ fumed silica performance and solution in adhesive;
瓦克HDK~气相二氧化硅的性能及其在胶粘剂中的解决方案
4) fumed silica
气相法二氧化硅
1.
Automatic control system for fumed silica;
气相法二氧化硅生产过程的自动化控制
2.
The functional mechanism and properties of fumed silica;
气相法二氧化硅应用机理及特性
3.
Synthesis of fumed silica supported amino-Pd complexes and their catalytic performance for Heck reaction
气相法二氧化硅负载胺-钯配合物的制备及对Heck反应催化性能的研究
5) vapor phase alkylation
气相烷基化反应
6) vapor solid phase alkylation
气固相烷基化
补充资料：低压化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：一种在低压下利用化学反应进行外延生长方法。其突出的优点是外延生长室为低压，此时载气流速增大，反应物质在表面的扩散系数增大，可减少反应物之间的寄生反应，以及外延生长对反应室的记忆效应，增大纵向均匀性。其压力范围一般在1.0Pa到4×104pa之间。低压外延有时是必须采用的手段，当化学反应对压力敏感，原材料蒸气压很低时，常压下不易进行反应，在低压下变得容易进行。
CAS号：
性质：一种在低压下利用化学反应进行外延生长方法。其突出的优点是外延生长室为低压，此时载气流速增大，反应物质在表面的扩散系数增大，可减少反应物之间的寄生反应，以及外延生长对反应室的记忆效应，增大纵向均匀性。其压力范围一般在1.0Pa到4×104pa之间。低压外延有时是必须采用的手段，当化学反应对压力敏感，原材料蒸气压很低时，常压下不易进行反应，在低压下变得容易进行。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条