1) power White-LED
功率型白光LED
1.
Some conclusions has been draw basing on discussing the optical parameters for power White-LED,such as luminous flux,correlation color temperature,chromaticity and so on,when the device was applied different current.
LED是一种电致发光器件,电流与器件出光有直接的关系,该文讨论了在不同电流下,功率型白光LED发光的色温、光通量、色坐标等光学参数的变化,并分别得到相应的结论。
2) high power white LED
大功率白光LED
1.
Use a 3-terminal positive voltage adjustable regulator to make an especially simple adjustable precision current regulator for drvie high power white LEDs.
采用一个三端正电压可调输出稳压器组成一个特别简单的可调电流源,用来驱动大功率白光LED。
4) high power white-light LED pack
大功率白光LED组
5) power LED
功率型LED
1.
Impact of the chip bonding layer material on the thermal resistance of power LED
芯片键合层材料对功率型LED热阻的影响
2.
The paper introduces the key technology in three periods of power LED industry chain of our country.
本文介绍了我国功率型LED产业链三个阶段的关键技术。
3.
In the aspect of thermal dispersion for power LEDs,flip-chip configuration has potential predominance.
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。
6) high power LED
功率型LED
1.
The junction temperature is a key factor to influence its optical,color properties and lifetime,In this paper,several important problems,especially such as the emitted optical power was ignored unreasonably and the difficulties of the temperature controlling in the measurement of thermal resistance for the high power LED were reviewed and discussed.
功率型LED的结温制约着其光、电、色性质和寿命,而结温通常是通过热阻测量间接得到。
2.
On the base of comparison with traditional packaging materials,the present technical research on heat-release substrates of high power LEDs is analyzed.
在与传统LED散热基板散热性能比较的基础上,分析了国内外功率型LED散热基板的研究现状,介绍了金属芯印刷电路板、陶瓷基板、金属绝缘基板和金属基复合基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了功率型LED基板材料的发展趋势及需要解决的问题。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条