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1)  porous SiGe
多孔硅锗
1.
The microstructure of porous SiGe is studied by using SEM technique.
用改进的双槽法和激光辅助照射制备多孔硅锗,用电子扫描探针观察其形貌。
2)  Ge/PS
锗/多孔硅
1.
Comparative Study on Photoluminescence from Ge/PS and Ge/SiO_2 Thin Films;
锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
3)  poly-SiGe
多晶锗硅
1.
The crystal quality and morphology of poly-SiGe films were characterized by XRD and SEM.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜。
4)  polycrystalline SiGe
多晶硅锗
1.
Effects of hydrogenation for polycrystalline SiGe (poly-Si1-xGex) thin films were estimated by investigating the dark conductivity and activation energy that derive from the conductivity as a function of the temperature.
优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件。
5)  SiGe/Si multi-layers
多层锗硅/硅
6)  SiGe multi quantum wells
硅锗多量子阱
补充资料:氨基多孔硅珠
分子式:
CAS号:

性质:一种二氧化硅胶,白色微珠形颗粒。以多孔硅珠为基料,与(3-氨基丙基)-三乙氧基硅烷反应制取。键合基团为—(CH2)3—NH2。比表面积400~450㎡/g。颗粒320~400目。为高速液相色谱填料,用于分配色谱。

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