1) chemical vapor deposited(CVD) diamond film
化学气相沉积(CVD)金刚石膜
3) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
4) CVD
化学气相沉积(CVD)
5) chemical vapor deposition (CVD)
化学气相沉积(CVD)
6) chemical vapor deposition
化学气相沉积(CVD)
补充资料:化学气相沉积
分子式:
CAS号:
性质:利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法,常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料,是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如,高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜,这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
CAS号:
性质:利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法,常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料,是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如,高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜,这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条