1) CVD diamond film
CVD金刚石膜
1.
Growth stability and quality of plasma jet CVD diamond films under gas recycling condition;
气体循环条件下等离子体喷射CVD金刚石膜的生长稳定性和品质
2.
Study on preparation and properties of X-ray detector based on CVD diamond film;
CVD金刚石膜X射线探测器的研制及性能研究
3.
A quick method for measure grind ratio of CVD diamond film;
一种快速测定CVD金刚石膜磨耗比的方法
2) CVD diamond films
CVD金刚石膜
1.
High breakdown voltage of Al Schottky diodes on device grade homoepitaxial CVD diamond films;
器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管(英文)
2.
Field emission mechanism of CVD diamond films;
CVD金刚石膜的场发射机制(英文)
3.
Kinetic Monte Carlo(KMC)method is an appropriate method to describe the CVD diamond films processes on atomic scale, based on a three-dimensional representation of film growth that incorporates the effects of surface atomic structure and morphology.
蒙特卡洛动力学(Kinetic Monte Carlo-KMC)仿真方法通过结合金刚石膜生长表面的原子结构和形貌特性,以及对CVD金刚石膜生长过程在原子尺度上的三维表征,可以形象描述CVD金刚石薄膜原子尺度生长过程。
3) CVD diamond thin film
CVD金刚石膜
1.
The cross-sectional morphologies and microstructures of CVD diamond thin films synthesized onto the cobalt cemented tungsten carbide (YGS) substrate have been observed by means of SEM and TEM.
采用SEM，TEM对金刚石膜-硬质合金基体横截面的形态进行了研究，探讨了甲烷含量对CVD金刚石膜-基横截面各组织层次的影响结果表明，经化学侵蚀脱钻和等离子体刻蚀脱碳预处理的YG8硬质合金基体上所沉积的金刚石膜-基横截面组织的典型层次依次为：金刚石薄膜／薄的石墨碳中间层／细小的WC层／残留的脱碳层（η相+W相）／残留的疏松层／YG8原始基体甲烷含量对CVD金刚石膜-基横截面各组织层次的形成有显著的影
2.
The structure and composition of CVD diamond thin film were studied by SEM and Raman Scattering Spectroscopy (RAMAN).
研究了电沉积层作为过渡层沉积CVD金刚石膜的工艺 ,在硬质合金的Cr电沉积层上用热丝法沉积出CVD金刚石膜。
4) CVD diamond thick film
CVD金刚石厚膜
1.
Etching of CVD diamond thick films by rare－earth compound ink;
CVD金刚石厚膜的稀土化合物浆料刻蚀(英文)
5) CVD diamond thin film
CVD金刚石薄膜
1.
The surface roughness of CVD diamond thin film coated tools is an important parameter having influence on the tool cutting performance.
CVD金刚石薄膜刀具的表面粗糙度是影响刀具切削性能的重要参数。
2.
0%,the CVD diamond thin film has been deposited on to GaAs substrate.
0 mm的砷化镓基底上沉积了CVD金刚石薄膜,用扫描电子显微镜观察沉积效果,拉曼光谱表征沉积质量,分析薄膜附着力与砷化镓材料性能的关系。
6) CVD diamond film
CVD金刚石薄膜
1.
The research is concerned of the CVD diamond film morphology and resistivity and concentration with different boron concentrations.
对CVD金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率。
补充资料：金刚石膜
分子式：
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条