1) non-affine nonlinear
非仿射非线性
1.
An observer-based adaptive neural-network H∞ tracking control scheme is presented for a class of non-affine nonlinear systems with external disturbance and unavailable states.
针对一类带有外部干扰、状态不可测的非仿射非线性系统,提出了基于观测器的自适应神经网络H∞跟踪控制结构。
2) affine nonlinear
仿射非线性
1.
The nonlinear state-feedback decoupling control law for affine nonlinear systems is discussed.
讨论了仿射非线性系统的非线性状态反馈解耦控制律的更一般形式，提出并证明了当系统的相对阶次之和小于系统维数时，非线性闭环解耦系统实现线性化并保持其解耦性不变的条件。
3) nonlinear affine model
非线性仿射模型
4) affine nonlinear systems
仿射非线性系统
1.
A robust fault detection scheme based on adaptive-fuzzy state observers for affine nonlinear systems is presented,and adaptive-fuzzy systems is adopted to repair nonlinear parts.
针对仿射非线性系统 ,采用自适应模糊系统进行非线性补偿 ,提出了一种基于自适应模糊状态观测器的鲁棒故障检测方法。
2.
In this paper, we prove that invertible dynamic feedback linearizability is equivalent to linearizability by adding integrators for up to 4 dimensional affine nonlinear systems.
本文证明对低于４维的仿射非线性系统，可通过可逆动态状态反馈线性化的系统一定可通过加积分器线性化。
3.
By making of the Taylor expansion,the state equation of affine nonlinear systems is converted to a set of equations for state variation with infinite series expression.
对于仿射非线性系统状态方程,对其右端进行Taylor展开,使之成为状态变量的无穷级数形式。
5) Affine nonlinear model
仿射非线性模型
6) affine nonlinear system
仿射非线性系统
1.
A Study of the Inversion of Affine Nonlinear System with the Multi-Trajectory Method;
引入多轨线方法讨论仿射非线性系统的逆
2.
An affine nonlinear system is one important kind of nonlinear systems and the state feedback linearization method,which emerged in recent years,can control it to achieve good results.
仿射非线性系统是非线性系统的一种重要形式,近年来出现的状态反馈精确线性化方法对其有较好的控制效果。
3.
Fuzzy modeling and control for a class of affine nonlinear systems is studied.
针对一类仿射非线性系统,研究其模糊建模与控制问题。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条