1) separation of silicon
硅锗分离
2) separation of germanium from zinc
锌锗分离
3) zinc-germanium separation
锌-锗分离
4) Ge/Si
锗/硅
1.
Hole storage characteristics in Ge/Si hetero-nanocrystal-based memories;
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究
2.
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array;
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
3.
The charge storage characteristic of Ge/Si double-layer quantum-dots floating-gate nano-memory was investigated.
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器。
5) GeSi
锗硅
1.
GeSi quantum dots studied by grazing incidence small angle X-ray scattering;
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
6) SiGe
锗硅
1.
Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition;
超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性
2.
Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector;
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
3.
Research on Material Growth of Long Wavelength SiGe Photodectors;
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
补充资料：二磷化锗锌晶体
分子式：ZnGeP2
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条