1) grain-boundary magnetoresistance
晶界磁电阻
1.
A small amount of Ag doping can apparently increase grain-boundary magnetoresistance induced by spin-dependent scattering.
少量的Ag掺杂可以明显提高自旋相关散射产生的晶界磁电阻。
2) grain boundary resistance
晶界电阻
1.
3 MnO3 in the experiment, this paperestablishes an ideal pattern and discusses grain boundary resistance and the role it plays, obtaining theconclusion that grain boundary resistance has a rapid increase as the particle size decreases, which isrelevent to boundary thickness of nane particle and particle size proportion.
３ＭｎＯ３纳米固体电阻行为，建议了一种理想模型，讨论了晶体电阻和晶界电阻所起的作用，得到了晶界电阻随粒径减小而迅速增加，且与纳米粒子的界面层厚度和粒径比相关的结论。
3) polycrystalline magnetoresistance materials
多晶磁电阻材料
4) critical field resistance
临界磁场电阻
5) grain resistance
晶粒电阻
1.
3%SiO_2 shows minimum breakdown voltage,maximum apparent electrical constant and minimum grain resistance.
3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。
2.
It was found that grain resistance increase first and then decrease accompanying Ta_2O_5 contents,increase.
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0。
6) Interface Electric Resistance
界面电阻
1.
Study on interface electric resistance of electro-osmotic consolidation;
电渗固结中的界面电阻问题
补充资料：晶界
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：晶界是结构相同而取向不同晶体之间的界面。在晶界面上，原子排列从一个取向过渡到另一个取向，故晶界处原子排列处于过渡状态。
分子量：
CAS号：
性质：晶界是结构相同而取向不同晶体之间的界面。在晶界面上，原子排列从一个取向过渡到另一个取向，故晶界处原子排列处于过渡状态。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条