1) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁电阻
1.
Design of magnetoresistance test system based on LabVIEW;
基于LabVIEW的磁电阻测试系统的设计
2.
Effect of the Ca and Ba doping on the magnetoresistance of La_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7;
Ca和Ba掺杂对La_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7的磁电阻效应的影响
3.
Effects of processing parameters on the structure and magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20) films;
工艺参量对Ni_(80)Fe_(20)薄膜结构与磁电阻特性的影响
2) MR magnetic head
磁电阻磁头
1.
In this paper,the structural parameters design and computer simulation for MR magnetic head are discussed.
将磁电阻磁头应用于磁盘高道密度记录技术，有利于提高磁头读出的信噪比，对于实现磁盘更高的道密度和位密度，大容量小型化都具有重要意义。
3) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁致电阻，磁阻
4) giant magnetoresistance
巨磁电阻
1.
Electrodeposition and giant magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20)/Cu nanometer multilayers;
电沉积Ni_(80)Fe_(20)/Cu纳米多层膜及其巨磁电阻效应
2.
Spin-polarized transport and giant magnetoresistance——a basic physical feature of spintronics;
自旋输运和巨磁电阻——自旋电子学的物理基础之一
3.
Influence of Ag covering layer on giant magnetoresistance of spin valve sandwich structure;
银覆盖层对自旋阀三明治结构巨磁电阻的影响
5) colossal magnetoresistance
庞磁电阻
1.
The effect of grain boundaries on magnetic and transport properties in colossal magnetoresistance particle film;
晶界对庞磁电阻颗粒薄膜的磁学和输运性能的影响
2.
Transport properties and preparation of thin film La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3 with colossal magnetoresistance;
庞磁电阻薄膜La_(0．7)Ca_(0．3)MnO_3的制备和输运特性
3.
Effect of Doping on Intrinsic Properties of the Colossal Magnetoresistance Materials;
掺杂对庞磁电阻材料本征性质的影响
6) giant magnetoresistance(GMR)
巨磁电阻
1.
A brief review of giant magnetoresistance(GMR)effect is presented.
评介了巨磁电阻（ＧｉａｎｔＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）效应的实验观测、理论分析及其在磁存储等技术中奇迹般的应用，着重阐述了电子自旋化输运的概念。
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条