1) ICP-assisted magnetron sputtering
感应耦合等离子磁控溅射
2) Inductively Coupled Plasma
射频感应耦合等离子体
1.
Kinetic Simulations and Experimental Diagnosis of Inductively Coupled Plasma Reactors;
射频感应耦合等离子体源的动力学模拟及实验诊断
3) PARMS
等离子辅助反应磁控溅射
4) magnetron sputtering plasma
等离子体磁控溅射沉积
5) plasma enhanced magnetron sputtering
等离子增强磁控溅射
1.
This paper presents a plasma enhanced magnetron sputtering (PEMS) technology, by which Ti–Si–C–N nanocomposite coatings are systematically studied.
介绍了等离子增强磁控溅射(PEMS)技术,系统研究了其制备的Ti–Si–C–N纳米复合膜层。
6) Ion beam combined magnetron sputtering system
离子束结合磁控溅射
补充资料：感应耦合
感应耦合
inductive coupling
单位长度的平行导线间的电容值，对距离很近的导线可取c，=一opF/m。 图(b)为两条平行导线间磁场祸合的情况，11为干扰源电流有效值，频率为f，通过两导线间的互感M在另一导线的负荷RL:上产生电压UZ，R02为电源内阻，通常RoZ《R12，可用下式计算，即 UZ尧I，口M(2) 。一2二f，M可根据公式计算:M一M、l，M飞为单位长度的平行导线间的互感值，对距离很近的导线可取Ml=1拜H/m。 式(1)中的C、式(2)中的M都随两导线间距离的增加而减小，故加大干扰源与敏感设备的距离，也是减小感应祸合的方法之一。gonylng ouhe感应报合(induetive eoupling)近场辐射藕合的藕合方式，在工业技术中通常的术语是感应祸合。近场辐射辆合只用于说明基本的物理概念(见辐射藕合)。感应报合分为电场祸合(容性报合)和磁场报合(感性藕合)两种。 电场报合和磁场藕合的分析计算通常可用带有集中参数的电容或互感的等效电路.下图为两条导线之间的藕合及其等效电路.图(a)为两条平行导线间电场报合的情况，Ul为干扰源电压有效值，频率为f，通电越目卜· 电场辆合和磁场祸合及等效电路 (a)电场祸合;(b)磁场拐合过两导线间的电容C在另一回路的负荷电阻RLZ上产生干扰电压U:，RoZ为该回路电源内阻，通常RoZ《RL:。因电源电势不影响干扰电压，在图上未表示出。UZ可用下式估算，即 _R，，R。，_。__ U，勺U，口C二二业牛架一勺Uo CR。，(l) 一‘一‘一RLZ+RoZ一’一‘、U‘ 。~2二f，C可根据导线长度l计算:C一‘，l，‘，为
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条