1) inductively coupled plasma
感应耦合等离子体
1.
Selective etching of GaN/ AlGaN by Inductively coupled plasma;
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
2.
We attempt to investigate the influence of the processing chamber configuration of an inductively coupled plasma(ICP)etcher on flow field characteristics.
为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-ACE+建立ICP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型。
3.
Inductively coupled plasma(ICP) dry etching of InP was performed using Cl2/CH4/N2.
采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀。
2) ICP
感应耦合等离子体
1.
A novel technique to generate inductively coupled plasma(ICP) with high density has been successfully developed,in which a symmetrical,uniform and spoke-shaped Faraday shield is installed between the inductive coil and the dielectric window in the ICP source.
感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。
2.
ICP etching plays an important role in mesa structures of photodiodes.
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。
3.
Inductively coupled plasma(ICP) etching plays an important role in mesa fabrication of AlGaN-based ultraviolet detectors.
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。
3) inductively coupled plasmas
感应耦合等离子体
1.
Effect of antenna configuration on power transfer efficiency for planar inductively coupled plasmas;
平板型感应耦合等离子体源的线圈配置对功率耦合效率的影响
4) inductively coupled plasma(ICP)
感应耦合等离子体
1.
ZrN films have been prepared by inductively coupled plasma(ICP)-enhanced RF magnetron sputtering.
利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响。
5) inductively coupled plasma-atomic emission spectrophotometer (ICP-AES)
感应耦合等离子体(ICP-AES)
补充资料：感应耦合
感应耦合
inductive coupling
单位长度的平行导线间的电容值，对距离很近的导线可取c，=一opF/m。 图(b)为两条平行导线间磁场祸合的情况，11为干扰源电流有效值，频率为f，通过两导线间的互感M在另一导线的负荷RL:上产生电压UZ，R02为电源内阻，通常RoZ《R12，可用下式计算，即 UZ尧I，口M(2) 。一2二f，M可根据公式计算:M一M、l，M飞为单位长度的平行导线间的互感值，对距离很近的导线可取Ml=1拜H/m。 式(1)中的C、式(2)中的M都随两导线间距离的增加而减小，故加大干扰源与敏感设备的距离，也是减小感应祸合的方法之一。gonylng ouhe感应报合(induetive eoupling)近场辐射藕合的藕合方式，在工业技术中通常的术语是感应祸合。近场辐射辆合只用于说明基本的物理概念(见辐射藕合)。感应报合分为电场祸合(容性报合)和磁场报合(感性藕合)两种。 电场报合和磁场藕合的分析计算通常可用带有集中参数的电容或互感的等效电路.下图为两条导线之间的藕合及其等效电路.图(a)为两条平行导线间电场报合的情况，Ul为干扰源电压有效值，频率为f，通电越目卜· 电场辆合和磁场祸合及等效电路 (a)电场祸合;(b)磁场拐合过两导线间的电容C在另一回路的负荷电阻RLZ上产生干扰电压U:，RoZ为该回路电源内阻，通常RoZ《RL:。因电源电势不影响干扰电压，在图上未表示出。UZ可用下式估算，即 _R，，R。，_。__ U，勺U，口C二二业牛架一勺Uo CR。，(l) 一‘一‘一RLZ+RoZ一’一‘、U‘ 。~2二f，C可根据导线长度l计算:C一‘，l，‘，为
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参考词条