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1)  charge trapping memory
电荷俘获存储器
1.
Research status and present problem of the charge trapping layer in the charge trapping memory are summarized and analyzed,including Si3N4 dopped O(α-SiOxNy),high-k materials,embedded nanocrystal materials and multistacked structure.
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。
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2)  memory trap condition
存储器俘获状态
3)  charge accumulator
电荷存储器
4)  charge trapping effect
电荷俘获效应
1.
The charge trapping effect of Al/SRO/Si MOS devices under lateral electrical stress is investigated.
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 。
5)  Trapped charge
陷阱俘获电荷
6)  charge storage capacitor
电荷存储电容器
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)


随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM

s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
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参考词条