1) Charge Trapping/De-trapping model
电荷俘获-脱离模型
2) trapping and detrapping model
俘获离化模型
3) charge trapping effect
电荷俘获效应
1.
The charge trapping effect of Al/SRO/Si MOS devices under lateral electrical stress is investigated.
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 。
4) Trapped charge
陷阱俘获电荷
5) charge trapping memory
电荷俘获存储器
1.
Research status and present problem of the charge trapping layer in the charge trapping memory are summarized and analyzed,including Si3N4 dopped O(α-SiOxNy),high-k materials,embedded nanocrystal materials and multistacked structure.
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。
6) ion trapping
离子俘获
1.
A linear two beam theory of ion trapping is applied to calculate the threshold current and growth time of the instability.
首先用离子俘获的线性两束流理论定量计算了离子引起的二极耦合束团不稳定性发生的阈值束流流强和不稳定性的增长时间 ,然后用基于束流 -离子强弱作用模型的模拟程序跟踪了在实验情况下束流与离子的相互作用过程 ,跟踪结果成功地再现了离子引起的二极耦合束团不稳定性边带 ,并给出了比较合理的不稳定性增长时
2.
The conditions for ion trapping are studied in the case of uniformly distributed electron bunches and bunch trains in storage rings based on the linear theory.
从线性理论出发，研究了电子束团在储存环里均匀分布和束团串两种情况下离子俘获的条件；在离子系统里引入Twiss参量，推导出电子束团串俘获离子的阈值流强的公式；并以此讨论北京正负电子对撞机（BEPC）在同步辐射专用运行时观察到的电子束流现象，提出采用束团串运行来克服BEPC中的束流寿命下降。
补充资料：AutoCad 教你绘制三爪卡盘模型,借用四视图来建模型
小弟写教程纯粹表达的是建模思路,供初学者参考.任何物体的建摸都需要思路,只有思路多,模型也就水到渠成.ok废话就不说了.建议使用1024X768分辨率
开始
先看下最终效果
第一步,如图所示将窗口分为四个视图
第二步,依次选择每个窗口,在分别输入各自己的视图
第三步,建立ucs重新建立世界坐标体系,捕捉三点来确定各自的ucs如图
第四步,初步大致建立基本模型.可以在主视图建立两个不同的圆,在用ext拉升,在用差集运算.如图:
第五步:关键一步,在此的我思路是.先画出卡爪的基本投影,在把他进行面域,在进行拉升高度分别是10,20,30曾t形状.如图:
第六步:画出螺栓的初步形状.如图
第七步:利用ext拉升圆,在拉升内六边形.注意拉升六边行时方向与拉升圆的方向是相反的.
之后在利用差集运算
第八步:将所得内螺栓模型分别复制到卡爪上,在利用三个视图调到与卡爪的中心对称.效果如图红色的是螺栓,最后是差集
第九步:阵列
第10步.模型就完成了
来一张利用矢量处理的图片
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条