1) p menus type GaN
弱p型GaN
2) p-GaN
p型GaN
1.
Optimization and Analysis of Magnesium Doping in MOCVD Grown p-GaN;
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
2.
Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates;
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
3.
The influence of the second annealing time on the electrical property of p-GaN epilayers was studied by Hall measurement.
采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。
3) p type G aN
p-型GaN
4) Weak-type(p,p)
弱(p,p)型
5) p-type GaN semiconductor
p-型GaN半导体
6) p-type GaN epitaxial thin films
p型GaN外延薄膜
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条