2) LEC
液封直拉
1.
Controlling the growth parameters to achieve a single crystal is the importance in highpressure liquid-encapsulated Czochralski(LEC) growth of large diameter GaP crystal.
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。
2.
Some key factors to growing InP single crystals by HP-LEC method were discussed,such as heater,heat-preservation system,dopant,crucible,growth parameters and so on.
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。
4) Liquid Encapsulant Czochralski Method
液封提拉法
5) undoped LEC GaAs
非掺杂液封直拉砷化镓
6) Jean de 1a Fontaine
拉封丹(法)
补充资料：液封直拉法单晶生长
液封直拉法单晶生长
liquid encapsulated czochralski crystal growth
yefeng zh}lafa donJ，ng shengzhang液封直拉法单晶生长(liquid eneapsulatedCzoehralski erystal growth)用液态覆盖剂封闭熔体控制挥发组分实现半导体晶体生长的一种方法，简称为LEC法。主要用于化合物半导体单晶生长。方法的实质是在普通直拉法增祸中的熔体表面上覆盖一液相层，以防止化合物半导体易挥发组分的损失(见图)。其单晶生长工艺过程与普通直拉法类似，但需要根据所生长材料离解压的大小，生长室内充以一定压力的惰性气体。单晶生长速度一般为5~12mm/h。LEC法于1962年首先由麦兹(E.P.A.Metz)用于PbTe和Pbse单晶生长。于1965年由马林(J.B.Mullin)应用于GaAs单晶生长。中国于1967年前后开始用于GaAS单晶的研制。该方法覆盖剂的选择必须具备以下条件:(1)在材料熔点温度下覆盖剂的蒸汽压可忽略不计，并为透明体。(2)其密度必须小于熔体的密度。(3)化合物及其组成元素必须是不溶解于覆盖剂。(4)覆盖剂必须是既不污染又不与材料有任何化学反应。就l一V族材料而言，B203是最为理想的覆盖剂。此外，早期的研究工作也有采用BaC12、BaCI:+KCI等为覆盖剂，但是熔点在800℃以下的材料，如Gasb(熔点为712℃)等则采用KCI十NaCI为覆盖剂。LEC法一般采用石墨加热器，因而生长室内惰性气体中含有一定微量碳的氧化物，必须控制BZO。中的水含量，以避免碳对所生长单晶材料的污染。所以BZO3在装料前根据不同材料的需要，需在真空度为10一3Pa、温度110℃下脱水12~24h，同时还可以除去BZO。中挥发性杂质。 LEC法的优点是可生长大直径圆柱状GaAs单!，、。。打中… 液封直拉法单晶生长示意图晶，并且易于晶片加工。如LEC法GaA、单晶生产水平为小76.2~150mm，工业生产均己实现等径控制。中国生产水平为小50mm。位错密度大都为1少数量级。LEC法还可用于GaP、InP，Gasb等单晶生长。 (刘锡田)
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参考词条