1) silicon semiconductor devices/surface protection
硅半导体元件/表面保护
2) semiconductor protection device
半导体保护器件
1.
In order to improve the main parameters of semiconductor protection device,its theory is introduced simply.
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
2.
Semiconductor protection device is a new type of Transient Voltage Suppresser(TVS).
本文对半导体保护器件的基本结构—晶闸管进行了深入的研究,运用理论分析结果对半导体保护器件LT62090的结构参数和工艺参数进行了设计;在工艺研究和大量实验工作的基础上,系统地分析了各项工艺参数和结构参数对器件性能的影响,并完成了版图设计和流片验证。
3) semiconductor device
半导体元件
1.
Temperature rise calculation of semiconductor devices in main converter with 3-stage unequal semi controlled bridge for electric locomotive;
电力机车不等分三段半控桥主变流装置半导体元件温升计算
4) elemental semiconductor
元件半导体
5) semiconductor surface
半导体表面
1.
in this paper the behavior of polar semiconductor surface(or interface) polaron in elec-tric field is studied by the linear composed operator of electron mornentum and coordinate.
采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面（或界面）极化子行为进行了研究。
6) Si device
硅半导体器件
1.
We demonstrate that micro-Raman spectroscopy (μRS) is a very useful technique that can be used to study a variety of problems related to Si device fabrication.
显微拉曼(μRS)在硅半导体器件生产中有许多重要和独特的应用。
补充资料：半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条