1) BEI analysis
背散射电子图像分析
2) Backscattered electron image
背散射电子图像
3) back scattering electron(BSE) analysis
背散射电子分析
4) backscattered electron image analysis
背散射电子图像法
1.
The results show during the hydration process of high C3S content Portland cement more Ca(OH)2 is produced,and the results for the hydration degree of this cement obtained by the backscattered electron image analysis are higher than the low C3S cement,but the results from the traditional non-evaporable water content determination are lower than the low C3S cement in the later ages.
采用X射线衍射、差热分析、背散射电子图像法、能谱分析、结合水量测试等方法,研究了0。
5) electron back-scattering patterns(EBSP)
电子背散射衍射分析(EBSP)
6) backscattered electron imagine
背散射电子成像
补充资料：背散射电子
分子式：
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条