1) EBSP
电子背散射图
1.
By using EBSP (electron back scattering pattern) technique, the orientation evolution of individual grains during rolling was followed, and the statistic results of grain rotation were obtained.
将具有{001)取向的柱状晶Ni样品分别冷轧到0％,10％,30％和50％,用电子背散射图(EBSP)技术测量晶粒取向,跟踪晶粒取向在轧制过程中的演变,得到晶粒取向演变的统计性结果。
2) Backscattered electron image
背散射电子图像
3) backscattered electron image analysis
背散射电子图像法
1.
The results show during the hydration process of high C3S content Portland cement more Ca(OH)2 is produced,and the results for the hydration degree of this cement obtained by the backscattered electron image analysis are higher than the low C3S cement,but the results from the traditional non-evaporable water content determination are lower than the low C3S cement in the later ages.
采用X射线衍射、差热分析、背散射电子图像法、能谱分析、结合水量测试等方法,研究了0。
4) BEI analysis
背散射电子图像分析
5) backscattered electron
背散射电子
1.
Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams;
低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
2.
Using Monte Carlo method, both emission and spatial distributions of the backscattered electrons(BSEs) of the solids Al,Cu,Ag,Au under the action of low energy electrons with energy E 0≤5*!keV have been simulated and calculated.
应用MonteCarlo方法 ,对能量E0 5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算 。
3.
The spatial distribution of backscattered electron in solids have been calculated by Monte Carlo method, based on Mott cross-seCtion for elastic scattering as well as Streitwolf,Quirm and Gryzinski s cross-section for inelastic scattering.
应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算，电子的弹性散射用Ｍｏｔｔ截面描述、非弹性散射按文献［３］的方法由Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ。
6) EBSD
电子背散射衍射
1.
METALLOGRAPHIC SAMPLE PREPARATION FOR EBSD;
金属电子背散射衍射试样的制备技术
2.
THE APPLICATION OF EBSD IN STEEL AND PIPELINE RESEARCH;
电子背散射衍射分析技术在钢铁及管线钢研究领域中的应用
3.
Electron back scattered diffraction (EBSD) was used to measure the grain size of HPT treated samples.
使用电子背散射衍射技术测量了处理后试样品粒尺寸沿径向的分布。
补充资料：背散射电子
分子式：
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条