专业词汇(按中图法分类)
1) Bilinear Interpolation Filtering
双线性插值滤波
2) nonlinear interpolation filtering
插值非线性滤波
1.
The nonlinear and linear error models of initial alignment for strapdown inertial navigation system(SINS) on stationary base were discussed,the principle of nonlinear interpolation filtering approach was analyzed,and the algorithm of nonlinear interpolation filtering for system model with additive noise was introduced,then it is applied to initial alignment for SINS on stationary base.
讨论了捷联惯性导航系统(SINS)静基座初始对准的非线性和线性误差模型,提出一种基于插值非线性滤波的SINS静基座初始对准方法。
3) Wavelet bi-linear interpolation
小波双线性插值
4) Second order nonlinear interpolation filter
二阶插值非线性滤波
5) bilinear interpolation
双线性插值
1.
Application of bilinear interpolation algorithm in litchi leaf image rotation for photosynthetic simulation;
双线性插值算法在荔枝树光合模拟中叶片图像旋转中的应用
2.
Fast discrete bilinear interpolation algorithm;
快速离散化双线性插值算法
3.
Raster Dataset projection transform based-on bilinear interpolation approximate grid algorithm
双线性插值近似网格的栅格数据投影变换
6) interpolation filter
插值滤波
1.
was converted to 24 bit RGB format image data by way of interpolation filter, we calculate the coefficients of red ,green and blue color based on current background, using these coefficients to .
在DM642中采用插值滤波的方法,将从Micron公司的MT9V403CMOS图像传感器所捕获的10位Bayer格式图像数据,转换为24位RGB格式彩色图像数据,再根据当前背景计算出对图像R、G、B三个分量的调整系数,用这三个系数对整个图像红、绿、蓝三色的强度进行调整即白平衡图像处理,以修正外部光线所造成的误差。
2.
An interpolation filter based on over sampling theory and the theory of mean evaluation is designed,so as to increase ADC resolution and SNR (Signal Noise Ratio) through software.
基于过采样和求均值原理设计插值滤波器,来提高ADC的分辨率和SNR。
3.
And the realization of Nyquist filter, multiphase filter, interpolation filter, multiphase carrier are explained.
阐述了柰奎斯特滤波器、插值滤波器、多相滤波器、多相数字频率合成器的实现方法,并采用多相滤波技术和OSERDES技术解决了射频信号高采样率问题。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条
