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1)  substrate current model
衬底电流模型
1.
Further more, the mechanism of substrate current is analyzed and a LDD MOSFET device substrate current model is built.
重点分析了衬底电流的机理,在I-V特性模型的基础上建立了适用于LDD MOSFET器件的衬底电流模型,其中对特性长度这一非常重要的参数做了改进描述,使之更适合分析薄栅深亚微米器件的衬底电流特性。
2)  substrate current
衬底电流
1.
Mechanism and impact of the double-hump substrate current in high-voltage double diffused drain MOS transistors;
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响
2.
Modification of MOSFET s Substrate Current Model in Deep Submicrometer Regime;
MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正
3.
As a monitor of hot-carrier-injection reliability,the substrate current(ISUB)usually increases in high voltage transistors,but has only one peak in standard low voltage transistors.
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证。
3)  channel base current model
底部电流模型
4)  substrate current equation
衬底电流公式
5)  Substrate mirror current
衬底镜像电流
6)  n type substrate
n 型衬底
补充资料:衬经衬纬圆纬机
      用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小,具有机织物的特性,除适合做各种外衣外,还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上,有三组纱线:衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
  机器的针筒固定在台面上,三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出,通过分经盘(或导经片)由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度,形成圆锥面,便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧,与三角座一起回转,通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间,依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧,与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间,把成圈纱喂入针钩内编织成圈,形成平针组织,同时,使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱,圈柱从外侧包住衬纬纱,从而使三组纱线结合在一起,形成一种基本的衬经衬纬针织物。  衬经衬纬针织物用于外衣产品时,由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点,易于拱出,因此,需改变其组织结构。例如,通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈,并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外,适当加粗衬纬纱,也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
  

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