1) substrate PNP transistor
衬底寄生PNP管
2) PNP substrate transistor
衬底PNP型双极型晶体管
1.
The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate .
对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。
3) the substrate PNP bipolar transistor
衬底PNP双极型晶体管
4) bottom fauna
船底寄生物
5) LPNP
横向PNP管
6) PNP transistor
PNP晶体管
补充资料：过度型晶体
指介于原子晶体、金属晶体和分子晶体之间的一种过度型晶体。如石墨晶体和层状晶体，每层内每个碳原子于另外三个碳原子以共价键结合，六个碳原子在同一平面上形成正六边形的环，伸展形成层状结构，表现为很高的熔点和沸点，这种情况使石墨象原子晶体。在同以平面的碳原子各剩一个可以自由移动的价电子，相当于金属中的自由电子，表现为石墨能导电，这种情况使石墨又象分子晶体。故石墨属于混合晶体。属于过度型晶体的还有黑磷和云母等
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参考词条