1) parasite transistors
寄生晶体管
1.
By comparing the variations of the current flowing through each PN junction of the transistor,the effects of parasite transistors can be studied under different working states,especially under cut-off state and saturation.
通过观察流经各个PN结的电流变化,可以研究数字晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应。
2.
By comparing the variation of the current flowing through each PN junction of transistors, the effects of parasite transistors in digital integrated transistors can be studied under different working states, especially under cut off state and saturation.
这样通过流经各个PN结的电流的变化 ,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应 。
2) parasitic bipolar transistor
寄生双极晶体管
3) lateral parasitic transistor
横向寄生晶体管
4) parasitical bipolar transistor
寄生双极型晶体管
5) parasitic bipolar transistor effec t
寄生双极晶体管效应
6) parasitical bipolar transistor(PBT)
寄生双极晶体管(PBT)
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条