1) Time Multiplexed Deep Etching (TMDE)
交替复合深刻蚀
1.
Through the following research, including the patterning process of mask, the selectivity of mask materials for silicon, the deposition process of passivation layer and the process of silicon anisotropic etching in Time Multiplexed Deep Etching (TMDE), the through-silicon via hole has been achieved.
本文采用中科院微电子研究中心ICP-98A高密度等离子体刻蚀机,研究了不同工艺参数对硅刻蚀速率的影响,获得较好的硅快速刻蚀工艺;通过对掩蔽层图形化的工艺、掩蔽层材料对硅的刻蚀选择比、交替复合深刻蚀技术中的单步保护层淀积工艺以及硅的各向异性刻蚀工艺等研究,实现了硅基通孔结构。
4) deep etching
深刻蚀
1.
Inductively coupled plasma(ICP) deep etching process of bulk titanium was studied in this paper.
采用电感耦合等离子体源(inductively coupled plasma,ICP)技术对金属钛进行三维深刻蚀,采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体,研究了线圈功率、平板功率和Cl2流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响,并对Ti深刻蚀参数进行了优化,得到0。
2.
Many MEMS structures need twice deep etching or even more,and usually the free-handing diaphragm is achieved after several deep etching.
许多MEMS结构需要进行2次或2次以上的深刻蚀,有些需要在多次深刻蚀后释放超薄的悬空薄膜结构,这时薄膜表面极易出现微小的腐蚀孔。
6) deep etch
深刻蚀
1.
In this paper, we investigate and present the law of diffractive efficiency versus fabrication error of deep etched binary optics, and compare differences of the law between the deep etched and the ordinary binary optics technologies.
用计算机研究并给出了深蚀刻二元光学元件制作误差对衍射效率影响的规律；将深刻蚀二元光学元件与一般二元光学元件制作误差规律的不同之处进行了分析说明；提出了深刻蚀二元光学元件制作误差规律的经验公
补充资料：交替
交替
alternative
交赞!目teltl.d粉;~p皿稍.a]，对策论中的 对策过程中的一个位置，按照对策的法则，可能在某个移步中从一个给定的位置上转移到该位置.对应的移步或刻画移步的指标也称为交替.
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参考词条