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1)  Liquid Encapsulant Czochralski Method
液封提拉法
2)  liquid encapsulation czochralski process
液封直拉法
3)  latex lifting technique
乳液提拉法
4)  LEC
液封直拉
1.
Controlling the growth parameters to achieve a single crystal is the importance in highpressure liquid-encapsulated Czochralski(LEC) growth of large diameter GaP crystal.
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。
2.
Some key factors to growing InP single crystals by HP-LEC method were discussed,such as heater,heat-preservation system,dopant,crucible,growth parameters and so on.
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。
5)  magnetic field applied lec
施加磁场液封直拉法
6)  Jean de 1a Fontaine
拉封丹(法)
补充资料:液封
分子式:
CAS号:

性质:以液体为密封介质的截止器。

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参考词条