1) The responsibility of the recalling system
缺陷产品召回责任
2) defective product recall
缺陷产品召回
1.
In defective product recall system, businessmen in serious fault,their conducts being against with society and blameful in morals, and furthermore having caused actual harm should be inured to punitive damages.
在缺陷产品召回制度中,对于主观上有严重的过错、行为具有反社会性和道德上的可责难性并已造成实际损害的经营者也应实行惩罚性赔偿这样做,可以有效地遏制系统性产品缺陷的恶意制造者,维护公众安全;也有利于建立以人为本、诚实信用、和谐发展的社会经济秩序,全面保护消费者的合法权益;同时,有助于我国尽快顺应世界经济贸易发展的潮流,提高产品的国际竞争
2.
Defective product recall system has established and implemented in today\'s world, especially in developed countries.
缺陷产品召回制度在当今世界各国特别是发达国家已经普遍建立和实施,实践证明,召回制度对于提高生产者和销售者的质量意识、诚信意识,促进企业主动加大技术和安全环保方面的投入,规范市场经济秩序等方面都具有不可替代的重要作用。
3) responsibility for the defect of products
产品缺陷责任
4) Cost of recall of defective product
缺陷产品召回成本
5) Deficient Products Calling Back System
缺陷产品召回制度
1.
A Thought on Perfection of Our Nation's Deficient Products Calling Back System
完善我国缺陷产品召回制度的思考
6) Recall of defective medicinal products
缺陷药品召回
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条