1) Ion beam combined magnetron sputtering system
离子束结合磁控溅射
2) ion beam assisted magnetron sputtering
离子束辅助磁控溅射
1.
Cr-Cu-N films were deposited using low energy ion beam assisted magnetron sputtering (IBAMS).
应用低能离子束辅助磁控溅射(IBAMS)沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。
3) magnetron sputter ion plating
磁控溅射离子镀
1.
Electrochemical corrosion behaviors of depleted uranium coated with niobium deposited by magnetron sputter ion plating were studied by electrochemical technology, scanning electron microscope (SEM) and X–ray energy dispersive spectroscope (EDS).
利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对磁控溅射离子镀铌贫铀的电化学腐蚀行为进行了研究。
2.
An experiment of depositing TiN coating on the surface of HSS W18Cr4V by magnetron sputter ion plating (MSIP) method was carried out.
采用磁控溅射离子镀法(MSIP)对高速钢W18Cr4V进行了TiN镀膜试验,对镀膜后试样的各项性能进行了测试分析,并对溅射时间、氮分压、溅射电流等工艺参数对TiN膜层的显微组织、厚度、硬度和耐磨性的影响进行了研究,确定了可获得最佳涂层综合性能的镀膜工艺参数。
3.
By using the physical vapor deposition(PVD) coating technology of closed field unbalance magnetron sputter ion plating(CFUBMSIP),the high-speed steel(HSS) twist drills with graded CrAlTiN coatings are made.
用闭合场非平衡磁控溅射离子镀PVD涂层工艺在高速钢麻花钻上沉积了CrA lTiN梯度涂层。
4) magnetron sputtering ion plating
磁控溅射离子镀
1.
Aluminum coating was prepared by magnetron sputtering ion plating(MSIP) with pulsed bias on depleted uranium surface.
采用脉冲偏压磁控溅射离子镀(MSIP)技术在贫铀表面制备铝镀层,利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对铝镀层在50μg/g Cl-水溶液中的电化学腐蚀行为进行研究。
5) ion-beam sputtering
离子束溅射
1.
Si/Ge multilayer films were prepared by ion-beam sputtering.
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。
2.
Si/Ge multilayer films have been prepared by ion-beam sputtering on glass substrates with different periods.
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。
3.
A series of AgNiMnGa nano-granular films with different combinations of component materials were fabricated by using ion-beam sputtering technique.
利用离子束溅射技术制备了AgNiMnGa颗粒膜的系列样品。
6) ion-beam sputter
离子束溅射
1.
Polymer fluorocarbon films on polyester were prepared under various discharge conditions by ion-beam sputtering and characterized by using XPS.
在不同放电条件下利用离子束溅射法制备了聚酯膜基底上的氟碳高分子膜 。
2.
The LSCO films which on yttria-stabilized zirconia(YSZ) andaluminates lanthanum (LaAlO_3)were obtained by ion-beam sputtering method.
本论文采用离子束溅射工艺在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)和铝酸镧(LaAlO_3)衬底上制备La_(0。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条