1) Si-Ge intermixing
Si-Ge原子互扩散
2) Ge/Si interdiffusion
Ge/Si互扩散
3) Si/Ge interface interdiffusion
Si/Ge界面互扩散
5) Ge/Si quantum dots
Ge/Si量子点
6) SiGe quantum dots
Si Ge量子点
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
补充资料：互扩散
分子式：
CAS号：
性质：多组分体系在固相反应过程中，不同组分在固体中的扩散。互扩散对反应的进行是有利的。因此，常常需要了解各组分的扩散对固相反应过程总的影响，可用互扩散系数表示。例如，在二元合金AB中，互扩散系数可以表示成各组分的扩散系数之和：D=DANB+DBNA。其中，D是某组分的扩散系数，N为体系中某组分的摩尔分数。在实际研究和考察固相反应时，常涉及到这种多种组分体系，互扩散更具有意义。但在一些特定情况下，如体系中各组分的扩散系数或摩尔分数差别很大时，互扩散系数接近于部分扩散系数。
CAS号：
性质：多组分体系在固相反应过程中，不同组分在固体中的扩散。互扩散对反应的进行是有利的。因此，常常需要了解各组分的扩散对固相反应过程总的影响，可用互扩散系数表示。例如，在二元合金AB中，互扩散系数可以表示成各组分的扩散系数之和：D=DANB+DBNA。其中，D是某组分的扩散系数，N为体系中某组分的摩尔分数。在实际研究和考察固相反应时，常涉及到这种多种组分体系，互扩散更具有意义。但在一些特定情况下，如体系中各组分的扩散系数或摩尔分数差别很大时，互扩散系数接近于部分扩散系数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条