1) GaAs/GaN
GaAs/GaN薄膜
1.
To achieve dual-band detection , we design a detector based on GaAs/GaN heterojunction.
利用MBE技术制备了GaAs/GaN薄膜材料,并通过X射线衍射方法分析了GaAs/GaN薄膜的结晶质量。
2) GaN film
GaN薄膜
1.
Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE;
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
2.
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD;
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
3.
GaN films have been grown by LP-MOCVD on the sapphire substrate,which a half of it is treated by chemical etch.
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
3) GaN thin film
GaN薄膜
1.
The research of laser treatment of GaN thin film;
激光处理GaN薄膜的研究
2.
It is helpful to achieve dense and well-crystallized GaN thin films with higher temperature and longer maintain time.
结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488。
4) nanocrystal GaN film
nc-GaN薄膜
5) GaN thin films
GaN薄膜
1.
The GaN thin films were grown on Si(111) substrate by Mg-doping simultaneously using a pulsed laser two-beam deposition system.
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。
2.
These defects can seriously affect the performance of GaN thin films, thus affecting the GaN-based devices.
GaN基片的研究目前几乎全部集中在异质材料上外延生长的薄膜,其外延生长过程也不可避免的产生缺陷结构,这些缺陷结构会严重影响GaN薄膜的性能,从而影响各种GaN基器件的性能。
6) GaN films
GaN薄膜
1.
Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction;
基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量
2.
GaN films have been grown on Si(111) substrates with a thin AlN buffer layer using a KrF excimer pulsed laser deposition(PLD) assisted by direct current discharge.
采用准分子脉冲激光 ,在Si(111)衬底上生长了带有AlN缓冲层的GaN薄膜 ,利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )和光致发光光谱 (PL)等测试手段研究了不同沉积温度所生长的GaN薄膜结构特征和光学性能 。
3.
GaN films have been grown on sapphire substrate which is treated by chemical method with different etch time by LP-MOCVD.
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条