1) GaAs film
GaAs薄膜
1.
Influences of depositing temperature on the microstructure of GaAs film
沉积温度对GaAs薄膜微观结构的影响
2.
The effect of hydrogen passivation on the micro-structure and optical properties of GaAs films was reported.
对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析。
3.
The effect of electrochemical deposition parameters on composition and quality of GaAs film was investigated.
研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1。
2) GaAs thin films
GaAs薄膜
1.
GaAs thin films with 1∶1 stoichiometry on SnO 2 conductive glass substrate have been deposited by electrochemical co deposition.
在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上 ,以SnO2 导电玻璃作为阴极衬底材料 ,从简单盐水溶液中 ,按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于 1的GaAs薄膜。
3) GaAs films
GaAs薄膜
1.
This paper reports the molecular beam epitaxy(MBE)growth of the GaAs films on the SrTiO 3 substrates with different orientations ((100),(110) and (111)).
利用MBE生长技术 ,成功地在不同晶向SrTiO3 ( 1 0 0 ) ( 1 1 1 ) ( 1 1 0 )衬底上生长了GaAs薄膜 ,利用显微Raman和荧光光谱 (PL)对此进行了研究。
2.
The condition of electrochemical deposition for GaAs films and the effect of electrochemical deposition parameters on composition of GaAs films are studied in this paper.
研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响 ,并通过正交实验调节这些化学沉积参数 ,得到了化学计量比接近 1∶1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数范围 ,为获得实用的GaAs薄膜材料打下了基础。
4) GaAs/GaN
GaAs/GaN薄膜
1.
To achieve dual-band detection , we design a detector based on GaAs/GaN heterojunction.
利用MBE技术制备了GaAs/GaN薄膜材料,并通过X射线衍射方法分析了GaAs/GaN薄膜的结晶质量。
5) GaAs poly-crystallin thin film
GaAs多品薄膜
6) GaAs/SiO_2 nano-films
GaAs/SiO2纳米薄膜
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条